Effect of pulse plasma for thermally hardened photoresist residue removal

플라즈마 충격 방법을 이용한 열경화된 Photoresist 잔여물(residue) 제거 연구

  • Ko, Hoon (Department of Nano & Electronic Physics, Kookmin University) ;
  • Kim, Soo-In (Department of Nano & Electronic Physics, Kookmin University) ;
  • Choi, Soo-Jeong (Department of Nano & Electronic Physics, Kookmin University) ;
  • Lee, Chang-Woo (Department of Nano & Electronic Physics, Kookmin University)
  • 고훈 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 김수인 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 최수정 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 이창우 (국민대학교 나노전자물리학과)
  • Published : 2007.11.01

Abstract

반도체 소자의 제조 공정 기술이 발전하고 초고집적화가 됨에 따라 소자 선폭도 급속하게 감소하였다. 이로 인하여 기존의 식각 공정에서 식각 후 남은 잔여 Photoresist residue는 소자 생산에 큰 영향이 없었으나 현재 이러한 잔여물은 초고집적 소자에 치명적인 문제를 발생시킬 수 있다. 본 실험에서는 세정액 분자에 플라즈마 충격을 가하여 세정액을 활성화함으로써 기존의 세정액과의 세정능력을 비교 분석하였다.