High Temperature Oxidation of TiN, Ti(C,N), TiAlSiN, TiZrAlN, TiAlCrSiN Thin Films

TiN, Ti(C,N), TiAlSiN, TiZrAlN, TiAlCrSiN 박막의 고온산화

  • 김민정 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 박순용 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 이동복 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2014.11.20

Abstract

TiN, Ti(C,N), TiAlSiN, TiZrAlN, TiAlCrSiN 박막을 제조한 후, 이 들의 고온산화 특성을 SEM, EPMA, TGA, TEM, AES 등을 이용하여 조사하고, 산화기구를 제안하였다. 산화속도, 생성되는 산화물의 종류와 분포는 박막의 조성, 산화온도, 산화시간에 따라 변하였다.

Keywords

Acknowledgement

Supported by : 한국연구재단