ICB seeding에 의한 CVD Cu 박막의 증착 및 특성 분석

Copper Film Growth by Chemical Vapor Deposition: Influence of the Seeding Layer

  • 윤경렬 (연세대학교 세라믹공학과) ;
  • 최두진 (연세대학교 세라믹공학과) ;
  • 김석 (연세대학교 세라믹공학과) ;
  • 김기환 (연세대학교 세라믹공학과) ;
  • 고석근 (한국과학기술연구원 세라믹스부)
  • Yoon, Kyoung-Ryul (Dept. of Ceramic Engineering, Yonsei University) ;
  • Choi, Doo-Jin (Dept. of Ceramic Engineering, Yonsei University) ;
  • Kim, Seok (Dept. of Ceramic Engineering, Yonsei University) ;
  • Kim, Ki-Hwan (Dept. of Ceramic Engineering, Yonsei University) ;
  • Koh, Seok-Keun (Div. of Ceramics, Korea Institute of Science & Technology)
  • 발행 : 1996.07.01

초록

ICB 공정으로 선행 증착한 Cu Seeding 층이 이후의 CVD 공정으로 증착하는 최종의 Cu 박막의 기계적 전기적 특성에 미치는 영향을 고찰하였고, seening을 하지 않은 CVD-Cu 박막과의 특성을 비교하였다. seeding 층을 형성한 경우의 CVD-Cu 박막에 있어서 증착 속도가 증가하였으며, grain 크기의 균일성도 향상되는 경향을 보였다. 증착된 Cu 박막은 seening에 무관하게 모두 FCC 우선배향인 (111)의 결정배향을 나타냈으며, seeding 우에 성정된 박막의 경우 $I_{111}/I_{200}$비가 향상되었다.$ 180^{\circ}C$의 동일 조건하에서 증착하는 경우 $40\AA$ seeding층 위에 성장한 박막의 전기비저항이 $2.42\mu$$\Omega$.cm로 낮은 값을 나타내었으며, 130$\AA$ seeding 경우는 오히려 전기비저항이 증가하는 경향을 나타내었다. Cu 박막의 접착력은 seeding층의 두께가 $0\AA$에서 $130\AA$으 증가함에 따라 21N에서 27N 으로 향상되었다.

키워드

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