MG63 Cell Attachments on the Titanium Disks after Micro-Arc Oxidation

타이타늄 임플랜트의 양극산화 표면처리에 따른 세포부착 특성에 관한 연구

  • Choi, Jeong-Won (Department of Prosthodontics, Graduate School, Seoul National University) ;
  • Heo, Seong-Joo (Department of Prosthodontics, Graduate School, Seoul National University) ;
  • Chang, Ik-Tae (Department of Prosthodontics, Graduate School, Seoul National University) ;
  • Koak, Jai-Young (Department of Prosthodontics, Graduate School, Seoul National University) ;
  • Lee, Jai-Bong (Department of Prosthodontics, Graduate School, Seoul National University) ;
  • Yim, Soon-Ho (Sungkyunkwan University, School of Medicine)
  • 최정원 (서울대학교 치과대학 보철학 교실) ;
  • 허성주 (서울대학교 치과대학 보철학 교실) ;
  • 장익태 (서울대학교 치과대학 보철학 교실) ;
  • 곽재영 (서울대학교 치과대학 보철학 교실) ;
  • 이재봉 (서울대학교 치과대학 보철학 교실) ;
  • 임순호 (성균관대학교 의과대학)
  • Published : 2004.06.30

Abstract

이번 연구의 목적은 순수 타이타늄의 표면을 양극산화법으로 표면처리하여 표면의 특성변화를 연구하고, 이에 따른 세포부착 특성의 차이를 연구하는 것이다. 원반 모양의 타이타늄을 전해질용액에서 300V - 550V의 전압을 주어 양극산화 하고 표면특성을 관찰한 결과, 전압이 높아짐에 따라 표면의 분화구 크기가 커지는 양상을 보였으며 아울러 표면 거칠기도 증가되었다. 세포 부착 실험결과 전압이 증가함에 따라 세포부착 및 증식세포수는 감소하였다. 300V 이상의 양극산화 전압은 표면의 거칠기는 증가시키지만 세포증식은 오히려 억제되는 것이 관찰되었다.