Al 및 SiN 박막 위에 형성된 TiW Under Bump Metallurgy의 스퍼터링 조건에 따른 Au Bump의 접착력 특성

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조양근;이상희;김지묵;김현식;장호정
Jo, Yang-Geun;Lee, Sang-Hee;Kim, Ji-Mook;Kim, Hyun-Sik;Chang, Ho-Jung

  • 투고 : 2015.07.07
  • 심사 : 2015.09.24
  • 발행 : 2015.09.30

초록

본 연구에서는 COG (Chip On Glass) 패키지 적용을 위해 Au 범프를 전기도금 공정을 사용하여 Al/Si wafer와 SiN/Si wafer 위에 TiW/Au 구조를 갖는 두 종류의 Au범프 시료를 제작하였다. UBM (Under Bump Metallurgy) 물질로서 TiW 박막을 스퍼터링 방법으로 증착하였으며 스퍼터링 입력 파워(500~5000 Watt)에 따른 박리 현상을 관찰하였다. 안정된 계면 접착을 나타내는 스퍼터링 파워는 1500 Watt임을 확인 할 수 있었다. 또한 SAICAS (Surface And Interfacial Cutting Analysis System) 장비를 사용하여 기판 종류에 따른 Au Bump의 접착력을 조사하였다. TiW 증착 조건은 스퍼터링 파워를 1500 Watt로 고정하였다. TiW/Au 계면의 접착력은 두 종류의 wafer (Al/Si과 SiN/Si wafers)에 관계없이 오차 범위 안에서 비슷한 접착력을 보여주었으나, TiW UBM 스퍼터링 박막 계면에서의 접착력은 하부 박막인 Al 금속과 SiN 비금속 박막에서의 접착력 차이가 약 2.2배 크게 나타났다. 즉, Al/Si wafer와 SiN/Si wafer위에 증착된 TiW의 접착력은 각각 0.475 kN/m와 0.093 kN/m 값을 나타내었다.

키워드

Au Bump;Chip on Glass (COG);Packaging;Under Bump Metallurgy (UBM);Adhesion Strength;SAICAS (Surface And Interfacial Cutting Analysis System)

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