• Title, Summary, Keyword: 광발광

Search Result 752, Processing Time 0.042 seconds

이차원 광결정 InGaP 발광다이오드의 제작과 $(NH_4)_2S_x$ 패시베이션 효과의 관한 연구

  • Lee, Gi-Hyeon;Lee, Jeong-Il;Han, Il-Gi;Song, Gye-Hyu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • /
    • pp.115-115
    • /
    • 2010
  • 광 결정 발광 다이오드를 제작하는데 있어서 문제가 되는, 표면 비 발광 재결합을 줄이기 위해서 $(NH_4)_2S_x$ 패시베이션 효과를 연구하였고, 실제 소자를 공정하였다. $(NH_4)_2S_x$ 패시베이션의 영향을 알아보기 위해서, GaAs 기판위에 10쌍 다중 양자 우물 구조를 가진, 에피탁시를 이용하여 광 결정 다이오드를 제작하였고, 그 후 패시베이션 처리를 하였다. 광 결정 격자 상수는 600 nm 였고, 전자 빔 노광기법을 이용하여 패턴을 만들었다. 패시베이션효과는 시분해 발광 측정을 이용하여 캐리어 라이프 타임의 변화를 통해 확인 할 수 있었다. 광 결정 구조가 없는 발광 다이오드에서의 라이프 타임은 2206 ps였고, 광 결정 구조를 가진 발광다이오드에서의 라이프타임은 831ps였다. 이는 식각된 구멍의 표면에서 비 발광 재결합이 증가했다는 것을 의미한다. 패시베이션 처리된 광 결정 발광다이오드의 라이프 타임은 1560 ps 으로 광 결정 구조의 표면에서 발생된 비 발광 표면 재결합이 상당히 줄었음을 알 수 있다. 상용 에피탁시에 실제 소자에 적용 가능한 광 결정 발광 다이오드를 제작하였다. 상용 에피탁시는 20쌍의 다중 양자우물과, 16쌍의 Distributed Bragg Reflector를 가진 구조이다. 이 상용 에피탁시에 광 결정 구조를 만들기 위해서 니켈 크롬 (NiCr) 마스크를 사용하였고, 기존 식각 시간보다 세배 길어진 식각 시간을 달성하였다.

  • PDF

Effect of Surface Recombination on the Light-Emitting Property of Two-Dimensional Photonic Crystals (표면 비발광 결합이 2차원 광결정의 발광 특성에 미치는 영향)

  • ;;;R. Sellin;D. Birilberg
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
    • /
    • /
    • pp.20-21
    • /
    • 2001
  • 광결정(photonic crystal)은 빛의 파장 크기 정도의 격자 상수를 지닌 1차원, 2차원, 또는 3차원의 주기적인 구조이다. 최근에 2차원 광결정 공진기 구조에서 광펌핑으로 레이저 발진이 성공한 결과가 발표되면서 광결정 구조를 이용한 광소자로의 응용이 본격적으로 시작되고 있다. 하지만, 2차원 광결정 발광 구조에서는 능동 매질이 공기 중과 접한 영역이 넓어서 필연적으로 면에서의 비발광 결합이 중요한 문제가 된다. 이러한 문제 때문에 반도체에 기반한 광결정 구조 중에서는 비발광 결합이 비교적 적은 InP/InGaAsP 계열 물질이 능동 매질로 이용되어 왔다. 본 연구에서는 광결정 발광 구조에서 표면 비발광 결합이 실제로 어느 정도나 영향을 미치는가에 대한 연구를 수행하였다. (중략)

  • PDF

질화물 계 발광다이오드의 광추출효율 향상을 위한 나노임프린트 리소그래피 공정

  • Byeon, Gyeong-Jae;Hong, Eun-Ju;Park, Hyeong-Won;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
    • /
    • /
    • pp.27.2-27.2
    • /
    • 2009
  • 현재 질화물 계 발광다이오드는 액정소자의 백라이트유닛, 모바일폰, 차량용램프, 교통신호등 등 다양한 장치의 광원으로 사용되고 있으며, 그 응용분야는 앞으로도 크게 확대되는 추세에 있다. 이는 발광다이오드의 저전력, 장수명, 친환경적인 장점에 의한 것으로, 일반 조명용 광원으로 사용하기 위한 기술개발이 활발히 진행 중이다. 하지만 질화물 계 발광다이오드를 미래의 조명용 광원으로 사용하기 위해서는 광출력이 보다 향상되어야 한다. 발광다이오드의 광출력을 저하시키는 요인으로는 다양한 문제점이 있지만 특히 낮은 광추출특성으로인한 광출력저하 문제를 해결해야 한다. 본 연구에서는 질화물 계 발광다이오드의 광추출특성을 향상시키기 위해서 나노임프린트 리소그래피 공정을 도입하였다. UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 통해서 p형 질화갈륨 및 인듐주석산화물 투명전극 층에 sub-micron 급 광결정패턴을 형성하였으며, 광루미네선스와 전기루미네선스 측정을 통하여 광결정패턴으로 인한 광출력 특성을 분석하였다.

  • PDF

Temperature dependence of photoluminescence for blue and green light emitting porous Ge and spark processed Ge (청색 및 녹색 발광 다공성 Ge 및 스파크 제조된 Ge의 광발광의 온도의존성)

  • 장성식
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.8 no.3
    • /
    • pp.442-447
    • /
    • 1998
  • Visible photoluminescence (PL) has been observed generally in the blue and green spectral region from anodically etched porous Ge as well as spark processed Ge. Porous Ge which is prepared by anodic etching without UV light illumination displays the PL peak max of 52 nm (2.38 eV), while porous Ge with UV light illumination exhibits PL peak blue shift to a 470 nm (2.63 eV). Spark processed Ge shows a PL peak max of 520 nm with shoulder peaks at 420 nm and 610nm. The values of energy shift as a function of decreasing temperature between 300 K and 20 K is 0.53 and $1.89\;meVK^{-1}$ for anodic etched Ge without UV illumination and with UV illumination, respectively. On the contrary, no continuous blue shift of PL peak as a function of decreasing temperature is observed for the green luminescing spark processed Ge. From the results of PL as a function of temperature the origin of blue and green luminescing anodically etched Ge as well as spark processed Ge is discussed.

  • PDF

Optical and Electrical Characteristics of Chirped Quantum Dot Structures for the Superluminescent Diodes with Wide Spectrum Bandwidth (파장대역폭이 넓은 고휘도 발광소자를 위한 Chirped 양자점 구조의 광/전기 특성 분석)

  • Han, Il-Ki
    • Journal of the Korean Vacuum Society
    • /
    • v.18 no.5
    • /
    • pp.365-371
    • /
    • 2009
  • We analyzed photoluminescence (PL) and electroluminescence characteristics of various chirped quantum dot structures. Peaks in EL curves were contributed by excited states of quantum dots (QD), while those in PL curves by grounded states. Based on these characteristics, we suggested that superluminescent diodes with wide spectral bandwidth may be developed if chirped QD structures are designed to make a contribution by ground states to EL characteristics.

Eu을 도핑한 ZnS 나노선의 온도변화에 따른 광발광 감쇄

  • Sin, Yong-Ho;Kim, Yong-Min;Kim, Sang-Dan;Ju, Sang-Hyeon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • /
    • pp.416-416
    • /
    • 2012
  • Eu이 도핑된 ZnS 나노선을 제작하여 온도변화에 따른 광발광 변화를 측정하였다. ESR 측정을 통하여 제작된 시료의 도펀트가 Eu2+ 상태임을 확인하였다. Au-catalyst와 Eu 도펀트 관련전이(Fig. 1, P2)와 표면 상태와 관련된 exciton (P1)의 온도변화에 대한 발광특성들이 100 meV 내외의 매우 큰 활성화 에너지를 가짐을 알 수 있었다. 이들 나노선들이 상온에서도 매우 강하게 발광하는 특성이 첨가된 도펀트와 강하게 관련이 있음을 알 수 있었으며, 이 실험을 통하여 Eu을 도핑한 ZnS 나노선들이 발광 소자로 이용 가능성함을 확인하였다.

  • PDF

Photostimulated Luminescence and Photoluminescence of SrCl2:Eu2+ Phosphors (SrCl2:Eu2+ 형광체의 광발광 및 광자극발광 특성)

  • Doh, Sih-Hong;Seo, Hyo-Jin;Kim, Young-Kook;Kim, Do-Sung;Kim, Sung-Hwan;Kim, Chan-Jung;Lee, Byung-Hwa;Kim, Wan;Kang, Hee-Dong
    • Journal of Sensor Science and Technology
    • /
    • v.11 no.6
    • /
    • pp.319-326
    • /
    • 2002
  • $SrCl_2:Eu^{2+}$ phosphors were prepared by the solid phase reaction method, and their photostimulated luminescence(PSL) and photoluminescence(PL) characteristics were investigated. The PSL and PL peak of the $SrCl_2:Eu^{2+}$ phosphors are due to the $5d{\rightarrow}4f$ transition of $Eu^{2+}$ ions in phosphors. The PSL and PL spectrum obtained by the 355nm excitation was observed in $380{\sim}440\;nm$ region with the peak at 407 nm. The dose response of the PSL phosphors were linear within $2.5\;mGy{\sim}200\;mGy$ of 100 kV X-ray. The fading of the phosphors at room temperature was approximately 60% after 20 min.

The Properties of Photoluminescience and Growth of $CdIn_2Te_4$ Single Crystal ($CdIn_2Te_4$ 단결정 성장과 광발광 특성)

  • 이상열;홍광준
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
    • /
    • /
    • pp.82-82
    • /
    • 2003
  • p-CdI $n_2$T $e_4$ 단결정을 Bridgeman법으로 3단 수직 전기로에서 성장하였다. 성장된 결정의 결정성은 X선 회절과 광발광 측정으로 조사하였다 막 성장된(as-grown) 결정과 여러 열처리 CdI $n_2$T $e_4$ 결정들의 광발광 스펙트럼 측정으로부터 CdI $n_2$T $e_4$:Cd 광발광에서는 중성 주개 bound 엑시톤 ( $D^{\circ}$,X)가 우세함을 발견하였고 반면에 CdI $n_2$T $e_4$:Cd 광발광에서는 중성 받개 bound 엑시톤 ( $A^{\circ}$,X)가 완전히 사라졌다. 더우기, CdI $n_2$T $e_4$:Te의 광발광 스펙트럼에서 중성 받개 bound 엑시톤 ( $A^{\circ}$,X) 발광은 막 성장된 CdI $n_2$T $e_4$결정에서처럼 우세하였다. 이러한 결과들은 ( $D^{\circ}$,X)가 주개로써 작용하는 $V_{Te}$ ,와 관련이 있고, ( $A^{\circ}$,X)는 받개로 작용하는 $V_{cd}$와 관련이 있음을 가리킨다. p-CdI $n_2$T $e_4$ 결정은 Cd 증기 분위기에서 열처리한 후에는 n형으로 type conversion이 된다는 것을 알았다. 중성 주개-받개 bound 엑시톤 ( $D^{\circ}$, $A^{\circ}$)과 이들의 TO 포논 복제의 발광은 $V_{Te}$ 나 C $d_{int}$와 같은 주개들과 $V_{cd}$ 또는 T $e_{int}$와 같은 받개들 사이의 상호 작용과 관련이 있다. 또한, CdI $n_2$T $e_4$에서 In은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다 알았다았다았다

  • PDF

Photoluminescence characteristics of ZnTe single crystal thin films substi-tuted by sulfur (Sulfur에 의하여 치환된 ZnTe 단결정 박막의 광발광 특성)

  • 최용대
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.13 no.6
    • /
    • pp.279-283
    • /
    • 2003
  • In this study, ZnTe : S single crystal thin films substituted by sulfur were grown on GaAs (100) substrates by hot-wall epitaxy. The photoluminescence (PL) characteristics of ZnTe : S single crystal thin films was measured to investigate the effects due to sulfur atoms in the ZnTe layer. The Peak of 2.339 eV identified as the isoelectronic center was observed in low temperature PL spectrum, but PL spectra which the origin had not been well-explained were not observed. Temperature dependence of PL intensities of the light hole free exciton was explained by extrinsic self-trapping. Besides it is reported that the emission lines near absorption edge at room temperature were observed.

무기물 색변환층을 사용한 무기물/유기물 유기발광소자의 발광 메커니즘

  • Jeong, Hwan-Seok;Kim, Seok-Hyeon;Chu, Dong-Cheol;Kim, Tae-Hwan;Gwon, Myeong-Seok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • /
    • pp.122-122
    • /
    • 2010
  • 백색 유기발광소자를 제작하기 위한 여러 가지 유기물층을 사용할 때 제작공정이 어려워지고 유기발광소자의 발광 효율이 저하되고 색안정성이 나빠지는 문제점이 있다. 본 논문에서는 Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체를 사용한 유무기 혼성 유기발광소자를 제작하고 발광 메카니즘을 조사하였다. 색변환층으로 사용되는 Zn2SiO4:Mn 형광체는 졸겔 방법을 사용하여 형성하고 비이클용액 및 열처리 공정을 사용하여 유리기판 위에 도포하였다. 형성된 Zn2SiO4:Mn 형광체 층에 대하여 X선 회절측정한 결과는 형광체내의 Zn 이온이 도핑된 Mn 이온에 대체되었음을 보여준다. 제작된 진청색 OLED의 전계발광 스펙트럼은 461 nm 에서 peak 을 나타내고 Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체는 470 nm에서 여기 되어 Mn 이온의 4T1-6A1 전이에 의하여 527 nm에서 발광을 한다. Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체를 사용한 유기발광소자의 전계발광스펙트럼에서 나타나는 527nm peak 은 Zn2SiO4:Mn 무기물의 색변환에 의해 나타난 결과로서 제작된 유기발광소자에서 발광된 빛을 청색에서 녹색으로 변환한 결과이다. Zn2SiO4:Mn 무기물 색변환층을 사용하여 제작된 무기물/유기물 유기발광소자의 발광 메카니즘은 전계발광스펙트럼 및 광루미네센스 스펙트럼 결과를 기초로 설명하였다. 이 결과는 녹색 무기물 형광체를 진청색 유기발광소자와 결합하여 제작된 유기발광소자의 발광색을 조절할 수 있음을 보여주었다.

  • PDF