• Title, Summary, Keyword: 산화적 활성화

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Analysis for the Activation Mechanism as a Function of Activation Degrees during Activation of the Carbon Fibers (탄소섬유의 활성화 시 중량감소율에 따른 활성화기구 해석)

  • 노재승
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • pp.240-240
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    • 2003
  • 탄소재료의 가스화속도는 근본적으로 활성자리의 수와 관련되어 있으며, 또한 가스화속도는 활성자리 뿐 아니라 확산제한에 따라 달라진다. 대부분의 탄소재료의 활성화 초기단계는 제한된 활성자리 때문에 반응속도는 느리고, 다음 단계는 총 활성자리가 증가하여 반응속도는 급격히 증가하고, 마지막으로 활성자리가 감소하여 활성화 속도는 감소한다. 이러한 sigmoidal특성을 나타내는 활성화 단계를 기공발달과정으로 설명하면, 활성화 초기에 탄소재료 내부에 이미 존재하는 닫힌 기공이 열리고, 일단 기공이 열리면 성장하게 된다. 이렇게 기공 수가 증가하는 것 뿐 아니라 기공 직경이 증가하여 활성화 과정이 진행될수록 비 표면적 및 기공부피는 증가하는데 이런 일련의 과정을 통하여 활성자리 수는 증가하고 또는 감소한다. 이렇게 기공이 발달하는 과정은 각각의 활성화 단계에서 탄소재료의 비 표면적 측정으로 알 수 있으며, 전반적인 산화속도 변화를 측정하여 반응단계를 추정하게 된다. 대부분의 연구자들은 반응 전체의 평균 산화속도를 측정한 후 활성화 에너지를 구하여 반응조절단계로 활성화 기구를 설명한다. 이 연구에서는 활성화 과정 중에 발생하는 중량감소 단계, 즉 각각의 활성화 단계에 따라 달라지는 반응속도상수를 측정하고, 반응단계별 활성화 에너지를 비교 해석하여 피치계 탄소섬유의 기공발달에 영향을 미치는 활성화 기구를 고찰하고자 하였다.

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Toxic action of benfuracarb via oxidative bioactivation process by cytochrome $P_{450}$ (Procarbamate계 살충제 benfuracarb의 산화적 활성화 과정을 통한 독성발현)

  • Yu, Yong-Man;Kim, Eun-H.;Kim, Song-Mum;Hur, Jang-Hyun
    • The Korean Journal of Pesticide Science
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    • v.7 no.1
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    • pp.45-50
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    • 2003
  • This study was conducted to understand the role of oxidative enzyme cytochrome $P_{450}$ in the bioactivation of benfuracarb and to know metabolites of benfuracarb by cytochrome $P_{450}$. The bimolecular imhibition rate constant $(k_i)$ of benfuracarb on acetylcholinesterase (AChE) was as low as $1.1{\times}10^3\;M^{-1}\;min^{-1}$, suggesting that benfuracarb should be activated for its toxic action. The potency of benfuracarb on AChE in the oxidase system (cytochrome $P_{450}$ + NADPH) in vitro was 10-fold higher than that of control (cytochrome $P_{450}$). Such a similar result was also found in the oxidase + PBO system. In vivo the $I_{50}$ of benfuracarb was 22.7mg $kg^{-1}$, but pie-treatment of piperonyl butoxide (PBO) reduced the $I_{50}$ by >100mg $kg^{-1}$. This result suggests that cytochrome $P_{450}$ was involved in the activation of benfuracarb. Using microsomal oxidase system, metabolites of benfuracarb were elucidated. Fifty-eight percent of benfuracarb was converted to carbofuran, a major toxic metabolite, in the oxidase system, while only less than two percent of benfuracarb was converted to carbofuran in the oxidase + PBO system. These results also suggest that cytochrome $P_{450}$ was involved in the activation of benfuracarb. Overall results indicate that cytochrome $P_{450}$ could be involved in the bioactivation of benfuracarb to carbofuran.

Properties of InP native oxide films prepared by rapid thermal oxidation method (급속열산화방법으로 형성된 InP 자연산화막의 특성)

  • 김선태;문동찬
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.5 no.4
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    • pp.385-392
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    • 1992
  • 급속열산화방법으로 400-650.deg.C의 온도범위에서 10-600초 동안 n형 InP기판위에 InP자연산화막을 형성하고 산화막의 성장율, 성장기구와 화학적 구성성분 및 전기적 성질등을 조사하였다. InP자연산화막의 두께는 산화시간이 제곱근에 비례하였고 산화온도에 대하여 지수함수적으로 증가하였다. InP자연산화막은 320.deg.C의 온도에서 초기성장이 이루어지고 산소원자들이 InP내부로 확산되는 과정으로 형성되며 산화막 형성에 필요한 활성화에너지는 1.218eV이었다. InP 자연산화마그이 화학적성분은 In$_{2}$)$_{3}$, P$_{2}$O$_{5}$ 및 InPO$_{4}$의 산화물이 혼합하여 구성된다. Au/InP쇼트키다이오드와 InP자연산화막을 게이트절연물로 사용한 MOS 다이오드의 전기적 특성은 다이오드방정식에 따르는 전류-전압특성을 보였다.

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Effects of Phosphorus Doping Concentration on the Oxidation Kinetics of Tungster Polycide ($\Pi$) (텅스텐 폴리사이드의 산화반응속도에 미치는 인 도핑 농도의 영향 $\Pi$)

  • 이종무;한석빈;임호빈;이종길
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.4 no.2
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    • pp.97-104
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    • 1991
  • W/Si의 조성비가 2.6인 CVD텅스텐 실리사이드를 어닐링처리 하지 않고 바로 wet oxidation하여 polycide구조에서 다결정 실리콘 내의 인의 농도가 실리사이드의 산화반응 속도에 미치는 영향을 조사하여 직선-포물선적 속도법칙을 토대로 하여 분석 조사하였다. 텅스텐 실리사이드의 산화속도는 다결정 실리콘 내의 도편트 인의 농도가 증가함에 따라 증가하는 것으로 나타났다. 직선적 속도상수와 포물선적 속도상수 모두 인의 농도가 증가함에 따라 증가하는 경향을 보였다. 직선적 속도상수에 대한 활성화 에너지는 인의 농도가 증가함에 따라 감소하였으나 포물선적 속도상수에 대한 활성화 에너지는 인 농도와 무관한 것으로 나타났다.

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양극 산화법을 이용한 나노 채널 구조의 주석 산화물 제조

  • Park, Su-Jin;Sin, Heon-Cheol
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • pp.30.2-30.2
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    • 2011
  • 나노 채널 구조는 반응 물질의 빠른 확산 경로를 제공하고, 넓은 반응 활성화 면적을 가지므로, 센서, 촉매, 전지 등의 다양한 기능성 전기 화학 소자용 고효율 전극 구조로서 관심을 받고 있다. 최근 양극 산화법을 이용하여, 자가 배열된 나노 채널 구조의 주석 산화물을 형성시키는 연구가 진행되고 있다. 그러나, 기재위에 도금된 주석 박막이 양극 산화에 의해 산화물로 변화하는 과정에서 내부 균열 및 표면 기공의 막힘 현상이 관찰되고, 기재 위 주석의 산화가 완료되는 시점에서는 기재의 산화 및 산소 발생에 의한 기계적 충격 등으로 인해 산화물이 기재로부터 탈리되는 문제가 발생하여, 그 응용 연구가 크게 제한되어 있는 실정이다. 본 연구에서는 다공성 주석 산화물 합성 시의 구조적 결함이 나타나는 이유에 대해 체계적으로 분석하고, 이를 바탕으로 결함이 없는 나노 채널 주석 산화물을 제조하는 방법을 제시하였다. 또한, 주석 산화물 박막을 기능성 전기화학 소자용 전극 활물질, 특히 리튬 전지용 음극재료로 사용하기 위한 효과적인 전극 제조 방법에 대해 논의하고, 그에 따라 제조된 전극의 충방전 용량, 사이클링 안정성 등을 제시하였다.

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Effect of Iron Excess-induced Oxidative Stress on Platelet Aggregation (과잉 철로 유도된 산화적 스트레스가 혈소판 활성화에 미치는 작용)

  • Seo, Geun-Young;Park, Hyo-Jin;Jang, Sung-Geun;Park, Young-Hyun
    • Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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    • v.35 no.8
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    • pp.979-984
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    • 2006
  • Although iron is essential for many physiological processes, excess iron can lead to tissue damage by promoting the generation of reactive oxygen species (ROS). There is increasing evidence that ROS might play an important role in the pathogenesis of cardiovascular disease. However, the effects of iron excess on platelet function and the thrombotic response to vascular injury are not well understood. We examined the effects of iron excess-induced oxidative stress and the antioxidants on platelet aggregation. Oxidative stress was accessed by either free iron $(Fe^{+2})$ or hydrogen peroxide $(H_2O_2)$, as well as their combination on washed rabbit platelets (WPs) in vitro. When WPs were stimulated with either $Fe^{+2}$ alone or a subthreshold concentration of collagen, which gave an aggregatory curve with a little effect, and a dose dependent increase in platelet aggregation was observed by increasing concentrations of $Fe^{+2}$ with $H_2O_2$. This aggregation was associated with the iron-catalyzed formation of hydroxyl radicals from $H_2O_2$, and were inhibited by NAD/NADP (proton acceptor), catalase $(H_2O_2\;scavenger)$, tiron (iron chelator), mannitol (hydroxyl radical scavenger), and indomethacin (cyclooxygenase inhibitor), but not by NADH/NADPH (proton donor), superoxide mutase, and aspirin. However, NADH/NADPH, an essential cofactor for the antioxidant capacity by the supply of reducing potentials, showed the effect of an enhanced radical formation, suggesting a role for NADH/NADPH-dependent oxidase. These results suggest that iron $(Fe^{+2})$ can directly interact with washed rabbit platelets and this aggregation be mediated by OH formation as in the Fenton reaction, inhibited by radical scavengers.

Activation of Carbon Fiber in $\textrm{CO}_2$ Gas(l)-Activation process of carbon fiber- ($\textrm{CO}_2$ gas를 이용한 탄소섬유의 활성화(I)-탄소섬유의 활성화 과정)

  • No, Jae-Seung;Seo, Dong-Su
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.8 no.2
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    • pp.114-119
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    • 1998
  • 등방성 피치계 탄소섬유를 Co$_{2}$gas중에서 등온산화시켜 활성탄소섬유를 제조하였다. 산화된 섬유의 비표면적은 BET장치를 이용하여 측정하였다. Burn-off가 증가하여도 반응속도는 크게 감소하지 않았으며, 80$0^{\circ}C$와 90$0^{\circ}C$에서 산화된 섬유의 비표면적은 40%-60%의 burn-off에서 급격히 증가하다가 60%이상에서 감소하였다. 110$0^{\circ}C$에서 산화된 시편은 40%이상 burn-off되어도 비표면적은 크게 증가하지 않고 60%를 지나서도 계속해서 표면적이 증가하는 현상을 나타내었다. 100$0^{\circ}C$에서 60.4%의 burn-off가 일어난 산화섬유의 비표면적은 3,614$m^2$/g로 가장 큰 값이 얻어졌다. 등방성 탄소섬유는 미세한 흑연결정립들이 무질서한 배향을 하고 있으며, 미세기공벽으로 작용할 수 있는 결정립층이 많기 때문에 활성탄소섬유 제조를 위한 원료로 적합하다고 판단된다.

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온도에 따른 $SiO_2$, $SiN_X$ 게이트 절연막 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터 전기적 특성 연구

  • Kim, Sang-Seop;Go, Seon-Uk;Choe, Byeong-Deok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • pp.243.2-243.2
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    • 2013
  • 본 실험에서 $SiO_2$, $SiN_x$ 게이트 절연막에 따른 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터를 제작하여, 온도변화에 따라 전달 특성 변화를 측정하여 열에 대한 소자의 안정성을 비교, 분석하였다. 온도가 증가함에 따라 carrier가 증가하는 온도 의존성을 보이며, 이로 인해 Ioff가 증가하였다. multiple-trapping 모델을 적용하여, 이동도 증가와 문턱 전압이 감소를 확인하였다. 또한 M-N rule을 적용하여 $SiO_2$, $SiN_x$ 게이트 절연막을 가진 ITZO 산화물 박막 트랜지스터의 활성화 에너지를 추출하고, sub-threshold 지역에서 활성화 에너지의 변화량이 $SiO_2$, SiNX 각각 0.37 eV/V, 0.24 eV/V로 차이를 통해 $SiN_x$ 게이트 절연체를 가진 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터의 이동도와 문턱 전압의 변화가 더 컸음을 확인하였다.

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Hydrogen Reduction Characteristics of Ni-based Mixed Oxides: TPR and XRD Study (니켈 기반 혼합 산화물의 수소 환원 특성: TPR 및 XRD 연구)

  • Ryu, Jae-Chun;Cha, Kwang-Seo;Lee, Dong-Hee;Lee, Young-Seak;Park, Chu-Sik;Kim, Young-Ho
    • Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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    • v.21 no.2
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    • pp.89-97
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    • 2010
  • $Al_2O_3$, $TiO_2$, $ZrO_2$, $Al_2O_3-TiO_2$, $Al_2O_3-ZrO_2$, 및 $TiO_2-ZrO_2$ 혼합 산화물을 지지체로 한 Ni 기반 혼합 산화물을 졸-겔법으로 제조하였다. 제조된 혼합 산화물은 1173K에서 열처리 한 후 구조적 특성 변화를 전자현미경 및 X-선 회절 분석을 이용하여 관찰하였으며, 수소를 이용한 승온 환원(TPR; temperature-programmed reduction) 실험을 통하여 1173K 까지 각 시료들의 환원 피크를 비교 고찰하였다. $Al_2O_3$ 또는 $TiO_2$ 가 혼합된 시료의 경우 1173K 에서의 열처리 후 니켈 알루미네이트 또는 니켈 티타네이트와 같은 새로운 결정상의 생성이 관찰되었으나 $ZrO_2$가 혼합된 경우에는 새로운 결정상의 생성이 관찰되지 않았다. TPR 결과에 의하면, $Al_2O_3$ 또는 $TiO_2$를 혼합된 시료의 경우 벌크 NiO의 TPR 결과와는 달리 생성된 새로운 결정상에 기인한 여러 개의 환원 피크가 나타났으나 $ZrO_2$를 혼합한 경우 벌크 NiO와 비슷한 환원 피크를 보였다. TPR 결과를 기초로 Arrhenius plot 으로부터 각 혼합 산화물들의 수소 환원 활성화 에너지를 도출하였다. $ZrO_2$를 지지체로 사용하는 경우 다른 혼합 산화물들보다 지지체로서 안정한 혼합 산화물상을 형성한다는 것을 지시하듯이 상대적으로 가장 낮은 활성화 에너지를 나타냈다.

Oxidation Behavior of Ag-Cu-Tio Brazing Alloys (Ag-Cu-Ti 브레이징 합금의 산화거동)

  • 우지호;이동복;장희석;박상환
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.35 no.1
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    • pp.55-65
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    • 1998
  • The oxidation behavior of Ag-36.8a%Cu-7.4at%Ti alloy brazed on Si3N4 substrate was investigated at 400, 500 and 600$^{\circ}C$ in air. Under this experimental condition Si3N4 and Ag were not oxidized whereas Cu and Ti among the brazing alloy components were oxidizied obeying the parabolic oxidation rate law. The activation energy of oxidation was found to be 80kj/ mol which was smaller than that of pure Cu owing to the presence of oxygen active element of Ti. The outer oxide scale formed from the initial oxidation state was always composed of Cu oxides which were known to be growing by the outward diffusion of Cu ions. As the oxidation progressed the concentration gradient occurred due to the continuous consumption of Cu as Cu oxides and consequently build-up of an Ag-enriched layer below the Cu oxides resulted in the formation of multiple oxide scales composed of Cu oxide (CuO) /Ag-enriched layer/Cu oxide (Cu2O) /Ag-enriched layer. Also the inward diffusing of oxygen through Cu oxide and Ag-enriched layers led to the formation of internal oxides of TiO2.

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