• Title, Summary, Keyword: 온-저항

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Determination of divider resistance in voltage divider circuits used NTC thermistor. (NTC thermistor를 사용한 voltage divider 회로에서 divider resistance결정)

  • Ku, Ja-Hun;Kim, Jong-Dae;Kim, Yu-Seop;Park, Chan-Young;Lee, Wan-Yeon;Song, Hae-Jung
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • pp.221-225
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    • 2010
  • 본 연구에서는 제한된 온도 영역에서 보통 정밀 온도 측정 소자로 많이 쓰이는 NTC 써미스터를 사용하여 전압 분배 회로(voltage divider circuits)를 구성하였다. 분압 저항이 온도측정 해상도에 미치는 영향을 분석하고, 회로의 분압 저항을 결정하는 방법으로서 측정하고자 하는 온도 구간의 최대 온도와 최저 온도의 NTC 써미스터 저항 값을 조화평균을 사용하여 분압 저항(divider resistance)으로 사용하였다. 선택한 분압 저항이 이상적인 저항인지에 대하여 조화평균으로 계산한 분압 저항과 대조군 저항으로 전압 분배 회로를 병렬로 구성하였다. 센서들을 항온조 넣어 설정온도($50^{\circ}C$, $70^{\circ}C$, $90^{\circ}C$)에서 각각의 온도를 측정한 후 측정 데이터의 표준편차를 구하여 평균 온도 분해능을 비교 하는 실험을 하였다. 실험결과 측정온도 구간의 최대 온도와 최소 온도에서의 NTC 써미스터 저항 값을 조화평균으로 계산한 분압 저항 값이 대조군 저항에 비해 설정온도에서 보다 높은 평균 온도 분해능(sensing resolution)을 보였다.

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The Study about Thermistor PTC Adding Graphite (그라파이트 첨가에 따른 PTC 서미스터의 특성에 관한 연구)

  • 오권오;전성용;이병하
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.3
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    • pp.256-260
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    • 2001
  • 본 연구에서는 Sbrk 치환된 BaTiO$_3$에 그라파이트를 첨가하고 고상반응법을 이용하여 PTC 소자를 제조한 후, 저항-온도 특성을 조사하였으며 미세구조 분석을 통하여 그라파이트 첨가로 인한 PTC 특성 변화를 고찰하였다. 시편의 저항-온도 특성은 자체 제작한 저항-온도 특성 자동 측정 시스템을 사용하였으며 미세구조 고찰은 주사 전자 현미경을 사용하였다. 상온 저항값은 그라파이트를 1.5 mol% 첨가한 시편이 8.8Ω.cm로 가장 낮은 저항값을 나타내었고 저항-온도 계수는 그라파이트를 3.0 mol% 첨가한 시편이 22.4%/$^{\circ}C$로 가장 좋은 PTC 효과를 보였다. 미세구조 고찰 결과 그라파이트를 1.5 mol% 첨가한 경우 90$^{\circ}$ 및 180$^{\circ}$전계구조가 상당히 발달되었음을 볼수 있었다.

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Analysis of Abnormal Reduction in Electrical Resistivity by Temperature Increase of ZnO Semiconductor (산화아연 반도체의 온도 증가에 따른 비정상적인 비저항의 감소에 대한 해석)

  • Jang, Kyung-Soo;Park, Hyeong-Sik;Ryu, Kyung-Ryul;Jung, Sung-Wook;Jeong, Han-Wook;Yi, Jun-Sin
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • pp.144-144
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    • 2010
  • 투명 산화물 반도체로 가장 널리 사용되는 산화아연 반도체의 온도 증가에 따른 비정상적인 비저항의 감소를 보고 한다. 이는 직류 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 연구를 진행하였으며, 공정 변수 중 압력 가변만 진행하였다. 상온에서의 전류 전압 곡선을 바탕으로 온도 증가에 따른 전류-전압 곡선 해석, 결정성 확인을 위하여 XRD 장비를 이용하였으며, 화학적인 조성 확인을 위해 EDS 장비를 이용하였다. 이를 통해 아연과 산소의 비율, (100) 결정성 방향 등의 결과를 통해 온도 증가에 따른 비정상적인 전기적 비저항 감소에 대한 현상을 확인하였다.

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Dependence of DC Volume Resistivity of Mass Impregnated paper on Temperature and Electric Stres (HVDC 케이블용 함침 절연지의 온도 및 전계 의존성)

  • Ahn, M.K.;Jeon, S.I.;Lee, T.H.;Kim, N.Y.;Choi, C.Y.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • pp.177-178
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    • 2008
  • 오늘날 DC 케이블은 도서간의 장거리 전력전송 및 서로 다른 주파수간의 계통연계를 위해서 널리 확대되어 사용되고 있다. 일반적으로 AC케이블의 전계는 절연체의 유전율에 의해서 결정되는 용량성 전계분포를 가지며, DC케이블은 과전 초기에는 절연체의 유전율 뿐만 아니라 저항율에 의해서 결정이 되며 충분한 시간이 흐른 후에는 저항율에 의해서 결정되는 저항성 전계분포를 가진다. 본 논문에서는 해저 HVDC 케이블용 함침 절연지 절연저항의 온도 및 전계 의존성을 평가하기 위해서 저항율을 측정 하였으며 통계처리를 통해서 온도 및 전계의존성을 구하였다.

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Experimental Verification on Factors Affecting Core Resistivity Measurements (코어 비저항 측정에 미치는 영향요소에 대한 실험적 고찰)

  • Kim, Yeong Hwa;Choe, Ye Gwon
    • Journal of the Korean Geophysical Society
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    • v.2 no.3
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    • pp.225-233
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    • 1999
  • Electrical resistivity of a rock-sample is dependant on not only formation factor of rock itself but also many parameters such as fluid type, measuring device, temperature, water saturation, electrical contact between electrode and core section, induced polarization, and frequency of electric source. In this study, we attempt to verify various affecting factors in core resistivity measurements and to find a better environment for core resistivity measurement. Particularly great attention has been paid to understanding the effects of temperature, water saturation, contact condition between sample and electrodes, and frequency of electric source. Precise measurement of resistivity can be achieved by utilizing silver paste for better contacts, taping samples for constant moisture contents, and using time-series resistivity data.

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Correlation between Grain-boundary Barrier-height and Self-controlled Fixed-temperature Heat-generation Function of Ceramic PTC Thermistor (세라믹 PTC 서미스터의 입계 장벽과 자기제어 정온발열 기능의 상관성)

  • So, Dae-Hwa;Im, Byeong-Jae
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • pp.240-241
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    • 2005
  • 비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖는 PTC thermistor는 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내다가 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 $BaTiO_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로 저항-온도 특성 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser), 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 그 응용성을 조사하였다.

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Functional Pyrogenic Boots for Proving by Self-Controlled Fixed-temperature Heat-generation Property of Semiconduction Ceramic PTC Termistor (세라믹 PTC 서미스터의 정온발열특성을 이용한 탐사기는 온열부츠)

  • So, Dae-Hwa;Im, Byeong-Jae
    • Proceedings of the Speleological Society Conference
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    • pp.69-77
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    • 2005
  • 비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖은 PTC thermistor눈 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내어 감소하다가, 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 BaTiO$_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로, 저항-온도 특성, 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser) 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 정온발열 탐사기능 온열부츠 제작 용 PTC 부픔소재의 응용성을 조사하였다.

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Temperature Effects in the Resistivity Monitoring at Embankment Dams (저수지 전기비저항 모니터링에서의 온도효과)

  • Kim, Eun-Mi;Cho, In-Ky;Kim, Ki-Seog;Yong, Hwan-Ho
    • Geophysics and Geophysical Exploration
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    • v.21 no.2
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    • pp.82-93
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    • 2018
  • Resistivity monitoring data at embankment dams are affected by the seasonal temperature variation. Especially when the seasonal temperature variation is large like Korea, the temperature effects may not be ignored in the longterm resistivity monitoring. Therefore, temperature effects can make it difficult to accurately interpret the resistivity monitoring data. In this study, through analyzing the time series of ground temperature collected at an embankment dam, ground temperature variations are calculated approximately. Then, based on the calculated temperature profile with depth, the inverted resistivity model of the embankment dam is corrected to remove the temperature effects. From these corrections, it was confirmed that the temperature effects are significant in the upper, superficial part of the dam, but can be ignored at depth. However, temperature correction based only on the temperature distribution in the dam body cannot remove the temperature effect thoroughly. To overcome this problem, the effect of temperature variation in the reservoir water seems to be incorporated together with the air temperature variation.

On-state resistance secreasing effect of mim antifuse by re-programming method (재 프로그래밍 방법에 의한 MIM ANTIFUSE의 온저항 감소 효과)

  • 임원택;이상기;김용주;이창효;권오경
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.6 no.3
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    • pp.194-199
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    • 1997
  • We fabricated MIM (Metal-Insulator-Metal) antifuses with Al/a-Si/Mo structure and then examined the I-V characteristics and on-state resistance distribution of antifuses. The leakage current of antifuses is below $1Pa/{\mu}m^2$, and programming voltage lies within 10 to 11 V. After programming, on-resistance of antifuses is mostly 10-20$\Omega$ and 20% of these have above 100$\Omega$. In order to reduce on-resistance and the deviation of this distribution, we tried to inject current again into already programed antifuses (we call this re-programming method). From this method, the resistance of antifuses with above 100Ω can be reduced to below 50$\Omega$. When antifuses are programmed by re-programming method, these antifuses have more uniform and lower on-resistance than programmed with one-pulse.

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Design of C-MOS Leak-Less Iron Controller Using Ceramic (세라믹을 이용한 C-MOS 정전기 방지용 인두조절기 설계)

  • 안양기;윤동한김태형
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • pp.659-662
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    • 1998
  • 전자부품이나 설계된 회로시스템에 납땜을 하기 위해 인두를 사용하는데 누설전류, 서지전압, 정전기, 적절하지 못한 온도 등 여러 가지 악조건으로 인해 부품의 파괴를 가져온다. 특히 C-MOS로 설계된 소자의 경우는 다른 전자부품 보다 더 민감하기 때문에 파괴될 경우가 다발적으로 발생된다. 따라서 절연저항이 높고, 사용자가 적절한 온도로 제어할 수 있는 인두조절기 설계가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는, 인두 히터에 센서를 삽입하여 이 저항의 변화율에 따라 온도를 감지하고, 주파수 방해를 최소화할 수 있는 Zero Voltage Switch IC를 사용하여 히터의 온도를 제어하였다. 또한, 사용자가 온도 변화를 알 수 있도록 A/D 변환기를 사용하여 시그먼트로 표시하였다. 기존에 설계된 시스템은 온도를 감지하는 센서가 민감하며 센서에서 감지된 신호가 비교기를 통해서 직접 히터의 온도를 제어하였기 때문에 온도 변화율이 매우 심하고, 이두팁이 분리되어있지 않기 때문에 절연저항이 매우 낮았다. 본 논문에서는, 이러한 문제점을 해결하기 위해 센서의 민감성을 최소화하고, Zero Voltage Switch IC를 사용하여 히터의 온도를 정밀하게 제어하였으며, 절연저항을 높이기 위해 인두팁의 중간에 세라믹을 삽입하여 팁에 온도만 전달될 수 있도록 용접을 하여 기존의 문제점을 개선하였다.

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