• Title, Summary, Keyword: 와이어 본딩

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FE-Simulation on drawing process of $Al-1\%Si$ bonding wire considering influence of fine Si particle (미세 Si 입자의 영향을 고려한 $Al-1\%Si$ 본딩 와이어의 신선공정해석)

  • Hwang W. H.;Moon H. J.;Ko D. C.;Kim B. M.
    • Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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    • pp.393-396
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    • 2005
  • This paper is concerned with the drawing process of $Al-1\%Si$ bonding wire. In this study, the finite-element model established in previous work was used to analyze the effect of various forming parameters, which included the reduction in area, the semi-die angle, the aspect ratio, the inter-particle spacing and orientation angle of the fine Si particle in drawing processes. The finite-element results gave the consolidation condition. From the results of analysis, the effects of each forming parameter were determined. It is possible to obtain the Important basic data which can be guaranteed in the fracture prevention of $Al-1\%Si$ wire by using FE-Simulation.

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GaAs 본딩장비용 Resin Coater의 동적 안전성 평가

  • 김옥구;송준엽;강재훈;지원호
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • pp.202-202
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    • 2004
  • 화합물 반도체는 초고속, 초고주파 디바이스에 적합한 재료인 갈큠비소(GaAs), 인듐-인산듐(InP) 등 2 개 이상의 원소로 구성되어 있고, 실리콘에 비해 결정내의 빠른 전자이동속도와 발광성, 고속동작, 고주파특성, 내열특성을 지니고 있어 발광 소자 (LED)와 이동통신(RE)소자의 개발 등에 다양하게 이용되고 있다. 이와 같이 화합물 반도체는 고부가가치의 첨단산업 부품들로 적용되는 만큼 생산제조 공정에 해당하는 연마, 본딩, 디본딩에 관한 방법과 기술에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.(중략)

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차세대 반도체 시장을 공략한다

  • Korea Venture Business Association
    • Venture DIGEST
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    • pp.10-11
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    • 2005
  • 지구를 25바퀴나 돌 수 있는 110만km에 달하는 본딩와이어를 지난 한해 동안 생산하고 판매한 기업이 있다. 국내 반도체 부품 생산업체 가운데 독보적인 위치를 확보하고 있는 엠케이전자가 그 주인공이다. 반도체 산업의 차세대 글로벌리더로 부상할 엠케이전자의 청사진 설계에 한창인 송기룡 대표에게서 경영의 진수를 듣는다.

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PCB 표면처리 및 공정 약품 기술 동향

  • Kim, Ik-Beom
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • pp.77-77
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    • 2014
  • 솔더링과 와이어본딩이 가능한 ENEPIG (Electroless Nickel/Electroless Palladium/Immersion Gold) 를 중심으로 미세회로 기판에 적용할 수 있는 표면처리 및 공정 약품을 소개하고자 한다.

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Ti/Cu CMP process for wafer level 3D integration (웨이퍼 레벨 3D Integration을 위한 Ti/Cu CMP 공정 연구)

  • Kim, Eunsol;Lee, Minjae;Kim, Sungdong;Kim, Sarah Eunkyung
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.19 no.3
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    • pp.37-41
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    • 2012
  • The wafer level stacking with Cu-to-Cu bonding becomes an important technology for high density DRAM stacking, high performance logic stacking, or heterogeneous chip stacking. Cu CMP becomes one of key processes to be developed for optimized Cu bonding process. For the ultra low-k dielectrics used in the advanced logic applications, Ti barrier has been preferred due to its good compatibility with porous ultra low-K dielectrics. But since Ti is electrochemically reactive to Cu CMP slurries, it leads to a new challenge to Cu CMP. In this study Ti barrier/Cu interconnection structure has been investigated for the wafer level 3D integration. Cu CMP wafers have been fabricated by a damascene process and two types of slurry were compared. The slurry selectivity to $SiO_2$ and Ti and removal rate were measured. The effect of metal line width and metal density were evaluated.

Wideband Characterization of Double Bondwires Ribbon for Millimeter-Wave Packaging (밀리미터파 대역 패키징을 위한 이중 본드와이어와 리본의 광대역 특성)

  • Kim, Jin-Yang;Chang, Dong-Pil;Yom, In-Bok;Lee, Hai-Young
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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    • v.38 no.7
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    • pp.7-13
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    • 2001
  • The wirebonding is a common interconnection technique for modern microwave devices because of rather simple and reliable processes involved. At millimeter-wave frequencies, however, the bondwire parasitics are significant and consequently limit the external performance of packaged devices. In this paper, we represent wideband characterization of multiple bondwires and ribbon in a frequency range from 20 to 35 GHz. From these results, the double bondwire shows very small insertion loss less than 0.55 dB up to 35 GHz and its performance is comparable to that of the ribbon in the millimeter-wave frequencies. Therefore, the wirebonding is very suitable for millimeter wave packaging in terms of performance and manufacturing cost.

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Temperature Measurement and Contact Resistance of Au Stud Bump Bonding and Ag Paste Bonding with Thermal Heater Device (Au 스터드 범프 본딩과 Ag 페이스트 본딩으로 연결된 소자의 온도 측정 및 접촉 저항에 관한 연구)

  • Kim, Deuk-Han;Yoo, Se-Hoon;Lee, Chang-Woo;Lee, Taek-Yeong
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.17 no.2
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    • pp.55-61
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    • 2010
  • The device with tantalum silicide heater were bonded by Ag paste and Au SBB(Stud Bump Bonding) onto the Au coated substrate. The shear test after Au ABB and the thermal performance under current stressing were measured. The optimum condition of Au SBB was determined by fractured surface after die shear test and $350^{\circ}C$ for substrate, $250^{\circ}C$ for die during flip chip bonding with bonding load of about 300 g/bump. With applying 5W through heater on the device, the maximum temperature with Ag paste bonding was about $50^{\circ}C$. That with Au SBB on Au coated Si substrate showed $64^{\circ}C$. The difference of maximum temperatures is only $14^{\circ}C$, even though the difference of contact area between Ag paste bonding and Au SBB is by about 300 times and the simulation showed that the contact resistance might be one of the reasons.

Analysis of Electric Potential Distribution due to Condition of Grounding Environment (접지환경 조건에 따른 지중함의 전위분포 해석)

  • Kim, Chong-Min;Bang, Sun-Bae;Han, Woon-Ki;Kim, Han-Sang;Shim, Keon-Bo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • pp.2074-2075
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    • 2007
  • 본 연구에서는 침수된 저압 지중함에서 발생될 수 있는 누전 사고시 지중함내의 접지조건이 주변의 대지전위분포에 미치는 영향을 고찰하였다. 저압 지중함 실증실험장을 설계 구축하였으며 3가지 접지조건의 경우에 대해 대지전위 측정 실험을 실시하였다. case 1과 case2와 같은 실증실험을 통해 저압 지중함에 설치되어 있는 접지선은 저압 지중함에서 대지전위 분포에 거의 영향이 없음을 확인하였으며, case 3과 같은 실증실험을 통해 저압 지중함 철재틀에 접지단자를 본딩 할 경우 저압 지중함 주변의 대지전위 상승이 거의 발생되지 않음을 확인하였다. 따라서 저압 지중함 철재틀에 접지단자를 본딩 할 경우 혹시 발생될 수 있는 지중함의 누전에 의한 감전사고를 매우 효과적으로 방지할 수 있을 것이다.

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TSV filling with molten solder (용융솔더를 이용한 TSV 필링 연구)

  • Ko, Young-Ki;Yoo, Se-Hoon;Lee, Chang-Woo
    • Proceedings of the KWS Conference
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    • pp.75-75
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    • 2010
  • 3D 패키징 기술은 전기소자의 소형화, 고용량화, 저전력화, 높은 신뢰성등의 요구와 함께 그 중요성이 대두대고 있다. 이러한 3D 패키징의 연결방법은 와이어 본딩 또는 플립칩등의 기존의 방법에서 TSV(Through Silicon Via)를 이용하여 적층하는 방법이 주목받고 있다. TSV는 기존의 와이어 본딩과 비교하여 고집적도, 빠른 신호전달, 낮은 전력소비 등의 장점을 가지고 있어 많은 연구가 진행되고 있다. TSV의 세부 공정 중 비아필링(Via filling)기술은 I/O수 증가와 미세피치화에 따른 비아(Via) 직경의 감소 및 종횡비(Via Aspect Ratio)증가로 인해 기존 필링 공정으로는 한계가 있다. 기존의 비아 홀(Via hole)에 금속을 필링하기 위한 방법으로 전기도금법이 많이 사용되고 있으나, 전기도금법은 전기도금액 조성, 첨가제의 종류, 전류밀도, 전류모드 등에 따라 결과물에 큰 차이가 발생되어, 최적공정조건의 도출이 어렵다. 또한 20um이하의 비아직경과 높은 종횡비로 인하여 충진시 void형성등의 문제점이 발생하기도 한다. 본 연구에서는 용융솔더와 진공을 이용하여 비아를 필링시켰다. 이 방법은 관통된 비아가 형성된 웨이퍼 양단에 압력차를 주어, 작은 직경을 갖는 비아 홀의 표면장력을 극복하고, 용융상태의 솔더가 관통된 비아 홀 내부로 필링되는 방법이다. 관통 비아홀이 형성 된 웨이퍼 위에 솔더페이스트를 $250^{\circ}C$이상 온도를 가해 용융상태로 만든 후 웨이퍼 하부에 진공을 형성하여 필링하는 방법과 용융솔더를 노즐을 통하여 위쪽으로 유동시켜 그 위에 비아홀이 형성된 웨이퍼를 접촉하고 웨이퍼 상부에 진공을 형성하여 필링하는 방법으로 실험을 각각 실시하였다. 이 때, 웨이퍼 두께는 100um이하이며 홀 직경은 20, 30um, 웨이퍼 상부와 하부의 진공차는 약 0.02~0.08Mpa, 진공 유지시간은 1~3s로 실시하여 최적 조건을 고찰하였다. 각 조건에 따른 필링 후 단면을 전자현미경(FE-SEM)을 통해 관찰하였다. 실험 결과 0.04Mpa 이상에서 1s내의 시간에 모든 비아홀이 기공(Void)없이 완벽하게 필링되는 것을 관찰하였으며 이 결과는 기존의 방법에 비하여 공정시간을 감소시켜 생산성이 대폭 향상 될 수 있는 방법임을 확인하였다.

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Nkjet System 적용을 위한 유연 필름의 대기압 플라즈마 표면 처리 연구

  • Mun, Mu Kyeom;Yeom, Geun Young
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • pp.162-162
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    • 2014
  • 최근 들어 wearable computing에 대한 수요가 증가하면서 flexible device에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만, flexible device를 구현하기 위해서는 기판의 damage를 줄이기 위한 저온공정, device life-time 향상을 위한 passivation, 와이어 본딩 등 다양한 문제들이 해결 되어야 한다. 이러한 문제들 중, polymer 기판과 금속간의 접착력을 향상시키기 위해서 많은 연구자들은 기판의 표면에 adhesive layer를 도포하거나 금속잉크의 solvent를 변화시키는 등의 연구를 진행해왔다. 종래의 연구는 기존 device를 대체 할 수 있을 정도의 생산성과 polymer 기판에 대한 열 적인 손상 이 문제가 되었다. 종래의 문제를 해결하기 위하여 저온공정, in-line system이 가능한 준 준 대기압 플라즈마를 사용하였다. 본 연구에서는 금속잉크를 Ink-jet으로 jetting하여 와이어 본딩 하는 과정에서 전도성 ink의 선폭을 유지시키고 접착력을 향상하기 위하여 준 대기압 플라즈마 공정을 이용하여 이러한 문제점을 해결하고자 하였다. Polymer 기판 표면에 roughness를 만들기 위해 대략 수백 nm 크기를 갖는 graphene flake를 spray coating하여 마스크로 사용하고 준 대기압 플라즈마를 이용하여 표면을 식각 함으로써 roughness를 형성시켰다. 준 대기압 플라즈마를 발생시키기 위해 double discharge system에서 6 slm/1.5 slm (He/O2) gas composition을 하부 전극에 흘려보내고 60 kHz, 5 kV 파워를 인가하였다. 동시에 상부 전극에는 30 kHz, 5 kV 파워를 인가하여 110초 동안 표면 식각 공정을 진행하였다. Graphene flake mask가 coating되어 있는 유연기판을 산소 플라즈마 처리 한 후 물에 3초 동안 세척하여 표면에 남아있는 graphene flake를 제거하고 6 slm/0.3 slm (He/SF6)의 유량으로 주파수와 파워 모두 동일 조건으로 110초 동안 표면 처리를 하였다. Figure 1은 표면 개질 과정과 graphene flake를 mask로 사용하여 얻은 roughness 결과를 SEM을 이용하여 관찰한 결과이다. 이와 같이 실험한 결과 ink와 기판간의 접촉면적을 늘려주고 접촉 각을 조절하여 Wenzel model 을 형성 할 수 있는 표면 roughness를 생성하였고 표면의 화학적 결합을 C-F group으로 치환하여 표면의 물과 접촉각 이 $47^{\circ}$에서 $130^{\circ}$로 증가하는 것을 확인하였다.

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