The Fabrication of Laser CVD $SiO_2$ film condenser and its characteristics

Laser CVD에 의한 $SiO_2$박막 콘덴서의 시작과 그 특성

  • Hong, S.H. (Dept. of Electrical Eng. Korea Univ.) ;
  • Cho, T.H. (Dept. of Electrical Eng. Korea Univ.) ;
  • Yoo, H.S. (Dept. of Electrical Eng. Korea Univ.) ;
  • Lee, H.S. (Dept. of Electrical Eng. Korea Univ.) ;
  • Lee, K.S. (Dept. of Electrical Eng. Korea Univ.) ;
  • Sung, Y.K. (Dept. of Electrical Eng. Korea Univ.)
  • 홍성훈 (고려대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 조태훈 (고려대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 유환성 (고려대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 이한신 (고려대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 이계신 (고려대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 성영권 (고려대학교 공과대학 전기공학과)
  • Published : 1993.11.26

Abstract

This paper proposes a new $SiO_2$ film condenser fabrication technique by photo-chemically deposited $SiO_2$ films by Laser CVD. Laser CVD is noticeable that film deposition can be done at low temperature below $300^{\circ}C$ with less damage. After film deposition, the characteristics of Laser CVD $SiO_2$ films and $SiO_2$ film condenser is evaluated.

Keywords