분자선에피텍셜(MBE) 방법으로 성장된 $Al_{0.35}Ga_{0.65}$As에서 Si 도핑 농도에 따른 광특 성 연구

Influence of the Si dopping on the opptical characteristics of the MBE grown $Al_{0.35}Ga_{0.65}$As layer

  • 서경수 (한국전자통신연구소, 반도체연구단) ;
  • 곽병화 (한국전자통신연구소, 반도체연구단)
  • 발행 : 1994.06.01