Chemical Beam Eppitaxy법으로 GaAs(100) 기판에 성장된 $In_xGa_{1-x}As$ 에피택시 층 의 Atomic Force Microscoppy 및 Raman Scattering 연구

• 박성주 (전자통신연구소) ;
• 하정숙 (전자통신연구소) ;
• 이재열 (표준과학연구원) ;
• 서은경 (전북대학교)

• Published : 1994.06.01

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