Study on the characteristics and application of the $BaTa_2O_6$ films prepared by rf-magnetron sputtering technique

RF-magnetron sputtering 방법으로 제조한 $BaTa_2O_6$ 박막의 특성과 응용에 관한 연구

  • 남태성 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ;
  • 송만호 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ;
  • 이윤희 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ;
  • 한택상 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ;
  • 오명환 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ;
  • 정관수 (경희대학교 전자공학과)
  • Published : 1995.07.20

Abstract

RF-magnetron sputtering 방법으로 형성한 $BaTa_2O_6$의 공정변수에 따른 전기, 광학적 특성변화를 관찰하여 $BaTa_2O_6$ 박막의 TFELD(thin film electroluminescent display) 절연막으로서 응용 가능성을 연구하였다. $BaTa_2O_6$ 박막의 유전특성은 증착시의 $O_2$ 함량과 sputtering 압력의 변화에는 큰 영향을 받지 않으나 기판온도에는 영향을 받는 것으로 확인되었다. 이들 공정변수를 가변하여 실험한 결과, $BaTa_2O_6$ 박막 형성의 최적조건으로 플라즈마 압력을 6 mtorr, sputtering gas 내의 $O_2$ 혼합비율은 40%, 기판온도는 $100^{\circ}C$로 결정하였다. 이상의 조건에서 제조된 $BaTa_2O_6$ 박막은 10.2 ${\mu}C/cm^2$의 매우 우수한 성능지수를 보였다. 이상의 $BaTa_2O_6$ 박막을 하부절연층으로, 절연파괴강도가 높은 $SiO_xN_y$를 상부 절연층으로 사용하여 제조된 EL 소자는 1 kHz, 삼각파 구동시 발광 임계전압은 약 32 volts, 최대휘도는 54 $cd/m^2$으로 측정되었다.

Keywords