Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

The preparation and characteristics of the AIN thin film by the rative sputtering method

반응성 스퍼터링 방법에 의한 AIN 박막의 제작과 특성

  • 정성훈 (대전산업대학교 재료공학과) ;
  • 송복식 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 홍필영 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 문동찬 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 김선태 (대전산업대학교 재료공학과)
  • Published : 1996.05.01
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Abstract

고주파 스퍼터링 방법에 의하여 상온에서 Si(100)기판 위에 AIN막을 형성하였다. 기판의 온도, 고주파 출력, 스퍼터링 시간, 질소의 비율을 변화인자로 해서 각 조건하에서 제작된 AIN의 결정질을 X선 회절법, 적외선 분광법, 전자현미경으로 상호비교 하였다. 자외선 투과법에 의해, 제작된 AIN 막의 금지대 폭은 4.27eV 이었다. 질소 비율에 따른 AIN 막두께의 변화는 질소비율 40∼60%에서 급격하게 일어났다.

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