Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 1997.07d
- /
- Pages.1267-1269
- /
- 1997
Fabrication and Analysis of SDB-Silicon Direct Bonding-IGBT with high speed and high efficiency
SDB(Silicon Direct Bonding)을 이용한 초고속 고효율 IGBT 제작 및 분석
- Kim, Soo-Seong (LSI3 Division, SAMSUNG Electronics) ;
- Kim, Tae-Hoon (LSI3 Division, SAMSUNG Electronics)
- Published : 1997.07.21
Abstract
본 논문에서는 SDB(Silicon Direct Bonding) 기술을 적용하여 빠른 스위칭 속도 및 낮은 도통 전압을 갖는 1200v 10A n-ch IGBT를 제작하였다. 기존의 epi wafer를 이용한 IGBT 제작시 스위칭 속도 개선을 위한 전자조사 방법을 사용하지 않고 buffer의 농도를 증가시켜 아노드 영역의 정공 주입 효율을 제어하여 90ns의 스위칭 속도를 가지며, 2.0V의 도통전압을 갖는 IGBT를 구현하였으며, SDB IGBT 제작시 bonding 계면의 문제 및 표면의 particle 및 결함이 소자의 전기적 특성에 미치는 영향을 고찰하였으며, 이를 실험 결과와 비교 평가하였다.
Keywords