Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 1997.07d
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- Pages.1292-1297
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- 1997
A Study on Reducing High Energy Ion Implant Induced Defect
고에너지 이온주입 공정에 의한 유기 결함과 그 감소 대책
- Kim, Young-Ho (Laser & Plasma CVD Lab., Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
- Kim, In-Soo (Laser & Plasma CVD Lab., Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
- Kim, Chang-Duk (Laser & Plasma CVD Lab., Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
- Kim, Jong-Kwan (Laser & Plasma CVD Lab., Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
- Sung, Yung-Kwon (Laser & Plasma CVD Lab., Electrical Engineering, Korea Univ.)
- 김영호 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.) ;
- 김인수 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.) ;
- 김창덕 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.) ;
- 김종관 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.) ;
- 성영권 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.)
- Published : 1997.07.21
Abstract
본 연구에서는 latch-up 개선책의 일환으로 개발중인 매립층을 갖는 retrograde well의 형성기술과 더불어 공정 단순화를 목적으로 개발된 BILLI (Buried Implanted Layer for Lateral Isolation) well 구조[1]에 대한 공정 유기 결함을 분석하고 그에 의한 소자 열화 특성을 분석 하였으며 그 개선책을 제시 하고자 하였다. 매립층 형성에 의한 유기결함은 접합 누설전류와 Gate oxide 신뢰성을 열화 시켰으나 이온주입 후
Keywords