저압 MOCVD 방법으로 성장시킨 Zn 도핑된 InP 에피층의 pphotoluminescence 특성분석

  • 문영부 (서울대학교 재료공학부 및 반도체공동연구소) ;
  • 윤의준 (서울대학교 재료공학부 및 반도체공동연구소) ;
  • 시상기 (서울대학교 전기공학부 및 반도체 공동연구소) ;
  • 김성준 (서울대학교 전기공학부 및 반도체 공동연구소)
  • 발행 : 1997.02.01