TCP 장치에서 $Cl_2/He/HBr$을 이용한 Poly-Si 건식식각시 발생하는 진행성 etch rate 감소 현상 연구

• 김용진 (삼성전자 반도체 연구소) ;
• 이세형 (삼성전자 반도체 연구소) ;
• 정홍식 (삼성전자 반도체 연구소) ;
• 한민석 (삼성전자 반도체 연구소) ;
• 문주태 (삼성전자 반도체 연구소) ;
• 최진석 (삼성전자 반도체 연구소)

• 발행 : 1997.02.01

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