study of damage and contamination on tje etched sillicon surface in the high selective onxide etching using $C_4F_8/H_2$ helicon plasmas

$C_4F_8/H_2$ 헬리콘 플라즈마를 이용한 고선택비 산화막 식각공정시 실리콘 표면의 오염 및 손상에 관한 연구

  • 김현수 (성균관대학교 재료공학과 반도체 공정 연구실) ;
  • 이원정 (성균관대학교 재료공학과 반도체 공정 연구실) ;
  • 염근영 (성균관대학교 재료공학과 반도체 공정 연구실) ;
  • 김정훈 (서울대학교 전기공학과) ;
  • 황기웅 (서울대학교 전기공학과) ;
  • 백종태 (한국전자통신연구소)
  • Published : 1997.07.01