Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

The characteristic of Er$^+$:SiO$_2$thin film preparation by rf sputtering method

고주파 스펴터링에 의한 Ef$^+$:SiO$_2$ 박막 제작 특성

  • 최영복 (한국통신 선로기술연구소) ;
  • 조승현 (황운대학교 전자재료공학과) ;
  • 정성훈 (광문대학교 전자재료공학과) ;
  • 문동찬 (광문대학교 전자재료공학과)
  • Published : 1997.11.01
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Abstract

고주파 반응성 스퍼터링 방법을 사용하여 희토류가 첨가된 SiO$_2$ 박막을 제작하여 특성을 조사하여, 양질의 희토류 원소가 첨가된 SiO$_2$ 박막의 최적의 제작조건을 도출하고 Er-Al:SiO$_2$ 박막의 소자웅용 가능성에 대하여 조사하였다 열처리전의 Er의 농도는 EDS(Energy dispersing x-ray spectrometer)로 측정한 결과 0.77% 로 농도를 나타내었고 코아층 첨가된 Er은 균일하게 분포되었다 크레드층의 굴절률은 633nm의 파장에서 측정하였을때 1.458이였고 코아층의 굴절률은 동일 파장에서 1.757이였다. 굴절률 분포도 (Refractive Index Profile)는 계단형 굴절률 분포로 코아층/클래드 굴절률 차 $\Delta$n$_{ESI}$ = 0.1였다.

Keywords