Studies on the Design and Fabrication of MMIC Power Amplifier for X-band

X-band용 MMIC 전력증폭기의 설계 및 제작에 관한 연구

  • 이성대 (동국대학교 전자공학과 밀리미터파 신기술 연구 센터) ;
  • 이호준 (동국대학교 전자공학과 밀리미터파 신기술 연구 센터) ;
  • 이응호 (동국대학교 전자공학과 밀리미터파 신기술 연구 센터) ;
  • 윤용순 (동국대학교 전자공학과 밀리미터파 신기술 연구 센터) ;
  • 박현식 (한경대학교 전자공학과) ;
  • 이진구 (동국대학교 전자공학과 밀리미터파 신기술 연구 센터)
  • Published : 1999.11.01

Abstract

In this paper, we have designed and fabricated a MMIC power amplifier for X-band using AlGaAs/InGaAs/GaAs PM-HEMTs and passive devices such as Ti thin film resistors, rectangular spiral inductors and MIM capacitors. The fabricated MMIC power amplifier for X-band shows that S/ sub 21/ and S$_{11}$ are 14.804 ㏈ and -29.577 at 8.18 GHz, respectively. The chip size is 1.86$\times$1.29 $\textrm{mm}^2$.>.>.

Keywords