대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

SOI 기판을 이용한 1-트랜지스터 구조 강유전체 비휘발성 메모리(MFS-FET)의 제작 및 평가

Fabrication and Estimation of Single-Transistor-Cell-Type FeRAM (MFS-FET) Using SOI Substrate

  • 김남균 (서울시립대학교 공과대학 전자전기공학부) ;
  • 이성준 (서울시립대학교 공과대학 전자전기공학부) ;
  • 최형봉 (서울시립대학교 공과대학 전자전기공학부) ;
  • 김철주 (서울시립대학교 공과대학 전자전기공학부)
  • Kim, N.K. (School of Electrical Engineering College of Engineering The University of Seoul) ;
  • Lee, S.J. (School of Electrical Engineering College of Engineering The University of Seoul) ;
  • Choi, H.B. (School of Electrical Engineering College of Engineering The University of Seoul) ;
  • Kim, C.J. (School of Electrical Engineering College of Engineering The University of Seoul)
  • 발행 : 1999.11.20
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초록

비휘발성 메모리의 고집적화와 적응학습형 뉴럴 소자의 실현을 위하여 1-트랜지스터 구조 강유전체 비휘발성 메모리(MFS-FET)를 SOI 기판위에 제작하고 평가하였다. 먼저 SBT($Sr_{0.8}Bi_{2.2}Ta_{2}O_{9}$)를 직접 Si위에 증착하고 C-V를 측정하여 1V의 메모리 윈도우를 얻음으로써 비휘발성 메모리로써의 동작가능성을 확인하였다. 또한 다양하게 게이트의 W/L 비를 바꾸어서 MFS-FET를 제작하여 다양한 드레인 전압-드레인 전류 특성을 얻었고 실제로 쓰기와 읽기 동작을 수행하여 MFS-FET가 비휘발성 메모리로써 제대로 동작하고 있음을 확인하였다.

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