대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

유리 기판 위에서의 PZT 박막의 특성에 관한 연구

Characteristics of PZT thin film on the g1ass substrate

  • 주필연 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) ;
  • 정규원 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) ;
  • 박영 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) ;
  • 박기엽 (부산정보대학) ;
  • 송준태 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부)
  • 발행 : 2000.07.17
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초록

The annealing treatments on rf magnetron sputtered PZT($Pb_{1.05}(Zr_{0.52},Ti_{0.48})O_3$) thin films(4000${\AA}$) have been investigated for a structure of PZT/Pt/Ti/ITO coated glass. Crystallization properties of PZT films were strongly dependent on RTA(Rapid Thermal Annealing) annealing temperature and time. We were able to obtain a perovskite structure of PZT at 650$^{\circ}C$ and 10min. P-E curves of Pd/PZT/Pt capacitor demonstrate typical hysteresis loops. The measured values of $P_r$, $E_c$ were 15.8[${\mu}C/cm^2$], 95[kV/cm] respectively. Polarization value decrease about 10% after $10^9$ cycles.

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