반도체 opening switch를 이용한 nsec 펄스발생기에 관한 연구

Study on the nano-pulse generator by a semiconductor opening switch

  • 손윤규 (포항공과대학교 가속기연구소) ;
  • 오종석 (포항공과대학교 가속기연구소)
  • Son, Y.G. (Pohang Accelerator Laboratory, POSTECH) ;
  • Oh, J.S. (Pohang Accelerator Laboratory, POSTECH)
  • 발행 : 2000.07.17

초록

크로징 스위치인 아바란치 트랜지스터를 사용하여 수 나노$\sim$수십 나노초의 고전압 펄스를 만들 수 있다. 반도체소자의 발전으로 인하여 빠른 회복시간을 갖는 소자가 개발되어 다이오드를 이용한 오프닝 스위치로도 수 나노$\sim$수십 나노초의 고전압 펄스를 얻을 수 있게 되었다. 본 논문에서는 전자총 그리드 펄서를 개발하기 위하여 자기스위치를 사용한 펄스압축기술(MPC : magnetic pulse compression)과 SOS (semiconductor opening switch)다이오드를 이용한 펄스 발생기에 관한 연구를 수행하였고 실험결과로 $50{\Omega}$부하에 대하여 3 kV, 26 nsec 펄스를 얻었다.

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