Fabrication of the grating array using computer generated phase mask

Computer generated phase mask를 이용한 격자 array 제작

파장분할다중 방식에서 필요로 하는 격자들 간의 격자주기 차이는 1nm이하를 요구한다. 따라서, 하나의 위상형 마스크로 서로 다른 주기의 격자를 동시에 제작하려면 하나의 위상형 마스크 패턴들 간에도 nm 정도의 차이를 갖는 미세한 패턴이 있어야 한다. 그러나, 일반적으로 마스크를 제작하는데 이용되는 장비인 전자빔 묘화장치(electron-beam lithographic system)의 분해능은 수십 nm이므로, 그러한 nm 정도의 정확도로서 조합된 마스크 패턴들을 만드는 것은 매우 어렵다. (중략)