한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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- Pages.354-357
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- 2002
SiC 열산화막의 Electrode형성조건에 따른 C-V특성 변화
The variation of C-V characteristics of thermal oxide grown on SiC wafer with the electrode formation condition
- 강민정 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 방욱 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 송근호 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 김남균 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 김상철 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 서길수 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 김형우 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 김은동 (한국전기연구원 전력반도체그룹)
- Kang, M.J. ;
- Bahng, W. ;
- Song, G.H. ;
- Kim, N.K. ;
- Kim, S.C. ;
- Seo, K.S. ;
- Kim, H.W. ;
- Kim, E.D.
- 발행 : 2002.07.01
초록
Thermally grown gate oxide on 4H-SiC wafer was investigated. The oxide layers were grown at l150