Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference (한국자기학회:학술대회 개요집)

  • 2002.12a
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  • Pages.60-61
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  • 2002
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  • 2233-9485(pISSN)
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  • 2233-9574(eISSN)
The Korean Magnetics Society (한국자기학회)
권호 표지

EFFECT OF Zr-DOPED Al-OXIDE BARRIER ON THE TUNNEL MAGNETORESISTANCE BEHAVIOR

  • Choi, C.M. (Korea University) ;
  • Kim, Y.K. (Korea University) ;
  • Lee, S.R. (Korea University)
  • Published : 2002.12.01
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Abstract

현재 Magnetic Tunnel Junction는 고밀도 자기저항 헤드 및 비휘발성 메모리(MRAM)등의 자기저항 특성을 이용한 소자에 응용하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다[1]. 하지만 Magnetic Tunnel Junction(MTJ)을 실제 소자로서 제작하여 사용하기 위해서는 smooth하고 pinhole이 없으며, 절연층 내부에 disorder나 defect가 없는 절연층을 형성해야 한다. (중략)

Keywords