Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference (한국자기학회:학술대회 개요집)

  • 2002.12a
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  • Pages.70-71
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  • 2002
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  • 2233-9485(pISSN)
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  • 2233-9574(eISSN)
The Korean Magnetics Society (한국자기학회)
권호 표지

The effect of magnetostatic bonding between layers on Magnetoresistance in the $Cr/Co/Al-O_x/Ni-Fe$ for tunnel junction structure

  • 이종윤 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 전동민 (성균관대학교 신소재공학) ;
  • 박진우 (성균관대학교 신소재공학) ;
  • 윤성용 (성균관대학교 신소재공학) ;
  • 백형기 (성균관대학교 신소재공학) ;
  • 서수정 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2002.12.01
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Abstract

터널 접합 소자은 절연층을 사이에 둔 두 강자성체로 이루어지는 데 두 강자성체의 서로 다른 보자력 차이로 인가해주는 자장의 방향에 기인한 spin들의 평행함과 반평행함에 의해 나타나는 자기 저항 현상을 이용한 것이다. 이 TMR 현상은 비휘발성, 고집적도, 적은 전력손실로 인해 차세대 RAM으로 사용될 것으로 보이는 MRAM 소자로써의 적용을 위해 연구 중에 있다. 그러나 TMR소자 공정중에서 비중이 큰 절연층 형성에서의 여러 요인의 개입으로 인해 고른 절연층 형성이 어려운 실정이다. (중략)

Keywords