Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference (한국자기학회:학술대회 개요집)

  • 2002.12a
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  • Pages.72-73
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  • 2002
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  • 2233-9485(pISSN)
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  • 2233-9574(eISSN)
The Korean Magnetics Society (한국자기학회)
권호 표지

Study on annealing of $Cr/Co/Al-O_x/Co/Ni-Fe$ Magnetic Tunneling junctions

  • 이종윤 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 전동민 (성균관대학교 신소재공학) ;
  • 박진우 (성균관대학교 신소재공학) ;
  • 윤성용 (성균관대학교 신소재공학) ;
  • 백형기 (성균관대학교 신소재공학) ;
  • 서수정 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2002.12.01
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Abstract

MR(Magnetoresistance)현상이란 인가된 자장에 의해 저항이 변하는 현상이다. 이 현상은 여러 측면에서 연구되고 있고 그 중 TMR(Tunneling Magnetoresistance)현상은 sensor, head, memory device의 적용에 대한 연구가 진행 중에 있다. 특히 memory 소자 측면에서 MRAM은 현재 사용되고 있는 DRAM이나 SRAM들과는 달리 비휘발성과 기록밀도의 고집적 등 많은 장점을 갖는 소자로써 연구되고 있다. (중략)

Keywords