Ion Beam Etching으로 에칭한 자성 박막의 자기적 특성 변화 조사

  • Yoon, S.M. (Chungnam Nat'l University) ;
  • Lee, Y.W. (Chungnam Nat'l University) ;
  • Hu, Y.K. (Chungnam Nat'l University) ;
  • Kim, C.G. (Chungnam Nat'l University) ;
  • Kim, C.O. (Chungnam Nat'l University)
  • Published : 2002.12.01

Abstract

강자성체의 스핀 분극을 이용하는 스핀트로닉스에 대한 연구는 매우 활발히 이루어지고 있다. CoFe 합금은 큰 포화자화와 스핀분극 때문에 스핀트로닉스 재료로 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 Ion Beam Etching 방법으로 CoFe 박막을 미세 가공 할 때 에칭 조건에 따른 CoFe 박막의 자기적 특성 변화를 조사하였다. 에칭 변수가 에칭에 미치는 영향을 사전에 조사하기 위하여 Cu 박막에 대하여 에칭시간, 기울임 각도, 가속 전압을 변화시키면서 식각한 후 거칠기 변화를 조사하였다. (중략)

Keywords