Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2002.05c
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- Pages.223-227
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- 2002
Removal Rate and Non-Uniformity Characteristics of Oxide CMP (Chemical Mechanical polishing)
산화막 CMP의 연마율 및 비균일도 특성
- Jeong, So-Young ;
- Park, Sung-Woo ;
- Park, Chang-Jun ;
- Lee, Kyoung-Jin ;
- Kim, Ki-Wook ;
- Kim, Chul-Bok ;
- Kim, Sang-Yong ;
- Seo, Yong-Jin
- 정소영 (대불대학교 전기공학과) ;
- 박성우 (대불대학교 전기공학과) ;
- 박창준 (대불대학교 전기공학과) ;
- 이경진 (대불대학교 전기공학과) ;
- 김기욱 (대불대학교 전기공학과) ;
- 김철복 (대불대학교 전기공학과) ;
- 김상용 (아남반도체 FAB 사업부) ;
- 서용진 (대불대학교 전기공학과)
- Published : 2002.05.17
Abstract
As the channel length of device shrinks below
Keywords
- CMP (Chemical mechanical polishing);
- WTWNU(wafer-to-wafer non-uniformity);
- WIWNU(within wafer non-uniformity);
- removal rate