Effect of electrode structure on electrical properties of thin film diode

박막 다이오드의 전기적 특성에 미치는 전극 구조의 영향

  • 홍성제 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 이찬재 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 김원근 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 한정인 (전자부품연구원 디스플레이연구센터)
  • Published : 2002.04.27

Abstract

박막 다이오드의 전기적 특성에 미치는 전극 구조의 영향을 관찰하였다. 박막 다이오드는 하부전극-절연층($Ta_{2}O_{5}$)-상부전극의 3층 구조로 설계 및 제작하였고, 하부 전극으로 Ta, 상부 전극으로 Cr 및 Ti를 각각 사용하였다. Cr을 상부 전극으로 사용한 결과 비대칭비가 1.8인 높은 비대칭 특성을 나타내었다. 그러나 Ti 상부 전극의 경우 반대의 경향을 나타내었다. 이들을 각각 $150^{\circ}C$에서 열처리한 결과 Cr 상부 전극 다이오드는 비대칭비가 1.4로 여전히 비대칭 경향을 나타내었으나, Ti 상부 전극의 박막 다이오드는 비대칭비가 1.1로 대칭에 가까운 우수한 특성을 나타내었다.

Keywords