한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집 (Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference)

한국마이크로전자및패키징학회 (The Korean Microelectronics and Packaging Society)
권호 표지

중첩된 양극 구조의 Si 포토다이오드 제작

Fabrication of Si Photodiode with Overlapped Anode

  • 장지근 (단국대학교 전자컴퓨터학부 전자공학전공) ;
  • 조재욱 (단국대학교 전자컴퓨터학부 전자공학전공) ;
  • 황용운 (단국대학교 전자컴퓨터학부 전자공학전공)
  • 발행 : 2003.11.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

상하로 양극 영역이 중첩된 새로운 Si 포토다이오드를 제작하고 이의 전기광학적 특성을 조사하였다. 제작된 소자의 역포화전류와 이상계수는 각각 68pA와 1.8로 나타났으며 -3V 바이어스에서 측정된 접합 커패시턴스는 8.3 pF로 나타났다. 또한 $100mW/cm^2$, AMI 스펙트럼 조건에서 -3V 바이어스 아래 측정된 광전류와 감도특성은 각각 $60\;{\mu}A$와 6 A/W로 나타났다.

키워드