Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference (한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집)

The Korean Microelectronics and Packaging Society (한국마이크로전자및패키징학회)
권호 표지

Residual Stresses and Microstructural Changes During Thermal Cycling of Sn(orSnAg)/Ni(P) and Sn/Cu Multilayers

Sn(또는SnAg)/Ni(P)와 Sn/Cu 다층박막의 열사이클 동안 발생하는 잔류응력과 미세구조의 변화

  • 송재용 (한국과학기술원 재료공학과 전자패키지재료 연구센터) ;
  • 유진 (한국과학기술원 재료공학과 전자패키지재료 연구센터)
  • Published : 2003.11.01
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Abstract

Sn(또는 SnAg)/Ni(P)와 Sn/Cu 계의 열사이클동안 형성되는 금속간화합물에 의해 유기되는 응력의 변화를 in-situ로 관찰하였다. Sn(또는 SnAg)/Ni(11.7P) 박막은 계면반응으로 인해 $Ni_3P$와 $Ni_3Sn_4$ 상이 형성되고 이때 인장응력이 발생하였으며, 한편, Sn(또는 SnAg)/Ni(3P) 박막의 계면반응에 의해서는 동일한 $Ni_3P$와 $Ni_3Sn_4$ 상이 형성됨에도 불구하고 압축응력이 발생하였다. SmAg를 사용할 때 형성되는 $Ag_3Sn$이 응력에 미치는 영향은 거의 없었다. Sn/Cu 박막의 경우는 계면반응 초기에는 인장응력이 발생하였고 어느 정도 이상 반응이 진전됨에 따라 압축응력이 발생하였고 최종적으로 $Cu_3Sn$ 상이 형성되었다. 초기의 인장응력은 계면에서 원자들의 intermixing 베 의한 것이고 압축응력은 Sn 방향으로 일방향 성장하는 금속간화합물 형성에 기인한다.

Keywords