Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2003.07a
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- Pages.275-277
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- 2003
Comparison of $AlO_x/$ barriers oxidized with $H_2O$ , $O_2$ plasma or $O_3$ in Atomic Layer Deposited $AlO_x/\;HfO_y$ stacks
단원자 증착법으로 증착한 $AlO_x/\;HfO_y$ 박막에서의 $AlO_x/$ 산화제에 따른 특성 변화
- Cho, Moon-Ju (Seoul National Univ.) ;
- Park, Hong-Bae (Seoul National Univ.) ;
- Park, Jae-Hoo (Seoul National Univ.) ;
- Lee, Suk-Woo (Seoul National Univ.) ;
- Hwang, Cheol-Seong (Seoul National Univ.) ;
- Jeong, Jae-Hack (Ever-tek)
- 조문주 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
- 박홍배 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
- 박재후 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
- 이석우 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
- 황철성 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
- 정재학 (에버테크)
- Published : 2003.07.10
Abstract
최근 logic 소자의 gate oxide로 기존의