PECVD법에 의해 증착된 $SiO_2$와 SiON 후막의 RF Bias power의 영향

The Effect of RF Bias Power on the $SiO_2$ and SiON Thick Film Deposited by PECVD

  • 김용탁 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김동신 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 윤대호 (성균관대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2003.10.17