MOCVD 반응기의 온도분포가 필름 성장율에 미치는 영향에 대한 연구

  • 김병호 (한국기술교육대학교 기계공학과) ;
  • 임익태 (국립익산대학 자동차과) ;
  • 김광선 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부)
  • Published : 2004.05.01

Abstract

본 연구에서는 MOCVD 반응기의 온도분포가 필름 성장률에 미치는 영향에 대해 분석하였다. 온도해석에는 반응기 벽면의 전도열전달과 기체의 대류열전달이 포함되었다. 또 서셉터와 실험에 사용된 그래파이트 평판 사이의 웨이퍼 미세 간극을 해석에 포함하여 반응기 내부의 온도를 예측하였다. 정밀한 온도해석을 통해 얻은 반응기의 온도 분포를 이용하여 GaAs와 InP의 필름성장률을 해석하였으며 그 결과 미세 틈새가 GaAs의 필름 성장률에 영향을 미치는 것을 확인하였다.

Keywords