Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

A Study on Behavior of Deep Levels for AlGaAs Epi-layers using DLTS

DLTS를 이용한 AlGaAs 에피층의 깊은준위 거동에 관한 연구

  • Choi, Young-Chul (Dept. of Electronic Material Engineering, Kwangwoon University) ;
  • Park, Young-Ju (Nano Device Research Center, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Kim, Tae-Geun (Dept. of Electronic Material Engineering, Kwangwoon University)
  • 최영철 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 박용주 (한국과학기술원 나노소자센터) ;
  • 김태근 (광운대학교 전자재료공학과)
  • Published : 2004.07.05
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Abstract

본 논문에서는 780 nm 고출력 레이저 다이오드의 신뢰성을 향상시키기 위하여 DLTS(deep level transient spectroscopy)을 이용하여 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition) 성장 조건 변화에 따른 $Al_{0.48}Ga_{0.52}As$와 $Al_{0.1}Ga_{0.9}As$ 물질에서의 깊은준위(deep level)의 거동을 조사하였다. DLTS 측정결과, MOCVD로 성장된 막에서만 나타나는 결함(defect)으로 추정되는 trap A(0.3 eV), DX center로 알려진 trap B, 갈륨(Ga) vacancy와 산소(O2) 원자의 복합체(complex)에 의한 결함인 trap D(0.6 eV) 및 EL2 라고 불리우는 trap E(0.9 eV)의 네 가지 깊은준위들이 관측되었고, 성장 조건의 변화에 따라 깊은 준위들의 농도가 감소하는 것을 관측함으로써 최적 성장 조건을 찾을 수 있었다.

Keywords