Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

A Test Circuit for Characterization and Modelling of the Reverse Recovery Power High-Speed Rectifier

SiC SBD의 역회복 특성 분석을 위한 $T_{rr}$ 측정회로의 검토

  • 서길수 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 김형우 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 김상철 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 방욱 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 김남균 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 김은동 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹)
  • Published : 2004.07.05
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Abstract

전력전자 회로의 고속화에 따라 정류기의 역할은 점차 중요해지고 있다. 전원장치의 compact화 및 초소형화에 따라 스위칭 주파수는 높아지고 있다. 최근 전원장치의 on-line 뿐만 아니라 off-line에서의 효율을 향상시키려면 도통손실 및 스위칭 손실을 최소화를 요구받고 있다. 스위칭 주파수가 증가함에 따라 power rectifier는 도전 및 스위칭 손실의 최소화를 위해서는 스위칭 손실의 주된 원인인 역회복 특성을 잘 파악해야 한다. 이를 위해 본 고에서는 최근 제작된 SiC SBD의 역회복 특성을 분석을 위한 $t_{rr}$, 측정을 위한 $t_{rr}$ Tester를 MIL-STD-750-4031.4에 참고하여 제작하였으며, 제작된 $t_{rr}$ Tester를 이용하여 SiC SBD의 $t_{rr}$의 측정결과에 대해 기술하였다.

Keywords