Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2004.11a
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- Pages.285-288
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- 2004
Influence of the epitaxial-layer defects on the breakdown characteristics of the SiC schottky diode
에피박막 결함이 탄화규소 쇼트키 다이오드소자의 항복전압 특성에 미치는 영향
- Cheong, H.J. (Dong-Eui Univ.) ;
- Bahng, W. (KERI) ;
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Kim, N.K.
(KERI)
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Kim, S.C.
(KERI)
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Seo, K.S.
(KERI)
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Kim, H.W.
(KERI)
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Kim, E.D.
(KERI)
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- Lee, Y.J. (Dong-Eui Univ.)
- 정희종 (동의대학교) ;
- 방욱 (한국전기연구원) ;
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김남균
(한국전기연구원)
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김상철
(한국전기연구원)
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서길수
(한국전기연구원)
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김형우
(한국전기연구원)
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김은동
(한국전기연구원)
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- 이용재 (동의대학교)
- Published : 2004.11.11
Abstract
탄화규소 기판의 에피 박막결함으로는 dislocation, micropipe, pin-hole 및 에피층 표면의 여러 가지 결함들이 있다. 이러한 결함들이 탄화규소 쇼트키 다이오드의 항복전압과 어떠한 상관관계가 존재하는지 알아 보기 위해 탄화규소 쇼트키 다이오드를 제작하고, 제작된 소자의 항복전압을 측정하였다. 에피 박막내의 결함 분포를 알아보기 위해 항복전압 측정후 KOH 용액을 이용한 SiC의 에칭을 수행하였으며, 제작된 여러소자들에 대해 항복전압의 분포도와 결함 분포도를 작성, 비교 관찰하였다.