Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2004.07b
- /
- Pages.989-992
- /
- 2004
Initial state of GaN grown by plasma enhanced molecular beam epitaxy
PEMBE로 성장된 GaN 박막의 초기 거동 관찰
- Yi, Min-Su (Department of Materials Science and Engineering, Sangju National University) ;
- Cho, Tae-Sik (Department of Materials Science and Engineering, Sangju National University)
- Published : 2004.07.05
Abstract
PEMBE(plasma enhanced molecular beam epitaxy)방법으로 성장된 GaN 박막의 초기 거동현상을 실시간 X-선 산란을 이용하여 관찰하였다. 표면이 원자 계단(atomic step)을 이루고 있는 사파이어 기판 위에 성장하는 GaN 박막은 layer-by-layer 모드로 성장 후 3D 모드로 성장을 하였다. 거친 표면을 가진 사파이어 기판 위에 성장하는 GaN 박막은 성장 초기는 표면을 평평하게 만든 후, 3D 모드로 성장하였다. 플라즈마로 생성된 이온화된 질소는 표면의 에너지를 변화시켜 GaN 박막의 증착을 증진시키고, 표면의 coverage를 증가시킨다.