Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Novel Dual-Gate Poly-Si TFT Employing L-Shaped Gate

L-모양 gate를 적용한 새로운 dual-gate poly-Si TFT

  • Park, Sang-Geun (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Lee, Hye-Jin (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Shin, Hee-Sun (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Lee, Won-Kyu (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University)
  • 박상근 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 이혜진 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 신희선 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 이원규 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기컴퓨터공학부)
  • Published : 2005.07.18
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Abstract

poly-Si TFT의 kink 전류를 억제하는 L-shaped dual-gate TFT 구조를 제안하고 이를 제작하였다. 제안된 소자는 채널의 그레인 방향을 일정하게 성장시키는 SLS나 CW laser 결정화 방법을 사용한다. L자 모양의 게이트 구조를 사용하여 서고 다른 전계효과 이동도를 갖는 두 개의 sub-TFT를 구현할 수 있으며, 이러한 sub-TFT간의 특성차이가 kink 전류를 억제시킨다. 직접 제작한 L-shaped dual-gate 구조의 소자가 poly-Si TFT의 kink 전류를 억제하고, 전류포화 영역에서 전류량을 고정시킴으로써 신뢰성이 향상됨을 확인하였다.

Keywords