Reactive Ion Etching of Amorphous Semiconductor and Insulator

비정질 반도체 및 절연체의 Reactive Ion Etching

본 논문에서는 비정질 반도체 및 절연체의 etching을 RIE를 사용하여 etching 조건을 결정하는 요인(chamber pressure, gas flow rate, rf power, 온도 등)들을 변화시켜 실험하였고, gas는 비정질 실리콘 박막의 reactive ion etching에 주로 사용되는 $CF_4,\; CF_4+O_2,\;CCl_2F_2,\;CHF_3\;gas$ 등을 사용하였다. 여기서 실리콘 박막의 식각은 $CF_4,\;CCl_2F_2,\;gas$를 그리고 insulator 막인 SiNx 박막의 식각은 $CF_4+O_2,\;CHF_3\;gas$를 사용하였다. 특히 $CCl_2F_2$ gas는 insulator 막인 SiNx 박막과의 식각 selectivity가 6:1로서 우수하기 때문이다. 정확한 control에 의해 높은 수율 (Yield) 을 얻을 수 있어 cost를 절감할 수 있다.