Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Current-Voltage Characteristics of Proton Irradiated NPT Type Power Diode

양성자가 주입된 NPT형 전력용 다이오드의 전류-전압 특성

  • Kim, Byoung-Gil (Division of Electronics Engineering Uiduk University) ;
  • Baek, Jong-Mu (Department of Electronic Telecommunication Daewon Science college) ;
  • Lee, Jae-Sung (Division of Electronics Engineering Uiduk University) ;
  • Bae, Young-Ho (Division of Electronics Engineering Uiduk University)
  • 김병길 (위덕대학교 전자공학부) ;
  • 백종무 (대원 과학 대학 전자 정보 통신과) ;
  • 이재성 (위덕대학교 전자공학부) ;
  • 배영호 (위덕대학교 전자공학부)
  • Published : 2005.07.07
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

고속 동작 다이오드를 제작하기 위해 Non punch trough 형 실리콘 pn 다이오드에 다양한 조건으로 양성자를 주입하고 조건에 따른 소자의 전류-전압 특성을 분석했다. 양성자 주입은 에너지를 2.32Mev, 2.55Mev, 2.97Mev 로 또, 각 에너지 조건에서 도즈를 $1\times10^{11}cm^{-2}$, $1\times10^{12}cm^{-2}$, $1\times10^{13}cm^{-2}$로 변화 시키며 수행했다. 분석 결과, 순방향 전류 5A에서 전압 강하는 1.1V로 주입하지 않은 최초 소자의 122%로 증가하였으며 역방향 항복전압은 양성자를 주입하지 않은 소자와 비슷한 값을 보였다. 소자의 역방향 회복시간은 50nsec로써 최초 소자의 20% 수준으로 감소했다.

Keywords