한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

DRAM에서 $Al_2O_3$를 식각 정지막으로 이용한 레지스터 형성에 관한 연구

Study on the Resistor Formation using an $Al_2O_3$ Etch-Stop Layer in DRAM

  • 박종표 (삼성전자 메모리사업부) ;
  • 김길호 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Park, Jong-Pyo (Memory Division, Samsung Electronics) ;
  • Kim, Gil-Ho (School of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 발행 : 2005.07.07
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초록

원자층 증착 (atomic layer deposit : ALD) 방식으로 증착한 $Al_2O_3$의 건식식각 특성을 연구하였다. 전자 싸이클로트론 공진 (electron cyclotron resonance : ECR) 방식의 건식식각장치에서 source power, bias power, 압력 그리고 $Cl_2$ 가스를 변수로 하여 $Al_2O_3$의 식각속도와 Poly-Si 의 $Al_2O_3$에 대한 선택비를 측정하였다. bias power가 감소할수록 그리고 압력이 증가할수록 $Al_2O_3$의 식각속도는 감소하였고 Poly-Si 의 $Al_2O_3$에 대한 선택비는 증가하였다. 이 특성을 이용하여 TiN/$Al_2O_3$/Poly-Si 구조의 캐패시터와 Periphery 회로영역의 레지스터를 $Al_2O_3$를 식각 정지막으로 이용하여 구현하였다.

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