Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Embossing hologram manufacture in amorphous As-Ge-Se-S with selected etching

비정질 As-Ge-Se-S 박막에서 선택적 에칭을 통한 엠보싱 홀로그램 제작

  • Lee, Ki-Nam (Department of Electronic Materials Engineering of Kwangwoon Unil) ;
  • Yeo, Cheol-Ho (Department of Electronic Materials Engineering of Kwangwoon Unil) ;
  • Shin, Kyung (Department of Electronic Materials Engineering of Kwangwoon Unil) ;
  • Chung, Hong-Bay (Department of Electronic Materials Engineering of Kwangwoon Unil)
  • 이기남 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 여철호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 신경 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 정홍배 (광운대학교 전자재료공학과)
  • Published : 2005.05.13
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 논문에서는 비정질 As-Ge-Se-S 박막의 에칭 레이트를 측정하였으며 As-Ge-Se-S 박막에 회절격자를 형성 시킨 후 선택적 에칭을 통한 엠보싱 홀로그램을 제작하였다. NaOH 수용액으로 0.26N, 0.33N, 0.40N 농도로 변화시키며 수행하였으며 에칭 시간에 따른 에칭되는 두께의 변화를 측정하였다. 에칭 레이트는 NaOH 용액의 농도가 0.26N, 0.33N, 0.40N 일 때 각각 $2.5{\AA}/s$, $3.3{\AA}/s$, $3.9{\AA}/s$ 였다. 또한 2차원 엠보싱 회절격자를 형성 시킨후 0.26N NaOH용액으로 60초간 선택적 에칭을 수행하여 AFM(Atomic Force Microscopy) 으로 측정한 결과 선명한 엠보싱 형태의 회절격자를 확인 할 수 있었다.

Keywords