Electrical properties of lanthanum oxide films deposited by Plasma Enhenced Atomic Layer Deposition

PEALD 방법으로 중착된 $La_2O_3$ 게이트 산화물 박막의 전기적 특성

  • 이은주 (한양대학교 신소재공학부) ;
  • 김범용 (한양대학교 신소재공학부) ;
  • 고명균 (한양대학교 신소재공학부) ;
  • 박종완 (한양대학교 신소재공학부)
  • Published : 2005.05.26