The Semiconductor Carbon Nanotube Growth with Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition Method and Oxidation Effect at $300^{\circ}C$ in Air

상압화학기상 증착법에 의한 반도체탄소나노튜브의 성장과 $300^{\circ}C$ 대기에서의 산화열처리 효과

  • 김좌연 (호서대학교 신소재공학) ;
  • 박경순 (세종대학교 신소재공학과)
  • Published : 2005.05.26