Static Induction Thyristor의 시동특성해석

The Simplified Model For Switching Transient Characteristics Analysis Of SI Thyristor

  • 이민근 (한양대학교 전자전기 컴퓨터공학부) ;
  • 박만수 (한양대학교 전자전기 컴퓨터공학부) ;
  • 고광철 (한양대학교 전자전기 컴퓨터공학부)
  • Lee, Min-Keun (Division of Electrical & Computer Engineering, Hanyang University) ;
  • Park, Man-Su (Division of Electrical & Computer Engineering, Hanyang University) ;
  • Ko, Hwang-Cheol (Division of Electrical & Computer Engineering, Hanyang University)
  • 발행 : 2006.07.12

초록

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

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