한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

Improving the Thermal Stability of Ni-Silicide Using Ni-V On Boron Cluster Implantend Source/drain for Nano-Scale CMOSFETs

  • 이세광 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 이원재 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 장잉잉 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 종준 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 정순연 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 이가원 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 왕진석 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 이희덕 (충남대학교 공과대학 전자공학과)
  • Li, Shi-Guang (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee, Won-Jae (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Zhang, Ying-Ying (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Zhun, Zhong (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Jung, Soon-Yen (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee, Ga-Won (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Wang, Jin-Suk (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee, Hi-Deok (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University)
  • 발행 : 2010.04.01
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초록

본 논문에서는 nano-scale CMOSFET을 위해 Boron Cluster ($B_{18}H_{22}$)가 이온주입된 SOI 와 Bulk 기판들 이용하였으며 실리사이드의 열 안정성 개선을 위해 Ni-V을 증착한 것과 순수 Ni을 증착한 것을 비교 분석 하였다. 결과 SOI위에 Ni-V을 증착한 것이 제일 낮은 면 저항을 보여주었고 반대로 Bulk위에는 제일 높은 면 저항을 보여 주었다. 단면을 측정한 결과 SOI 위에 Ni-V을 증착한 동일 조건의 Ni보다 Silicide의 두께가 두껍게 형성된 것을 확인하였다.

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